• 混合鍵合，下一個焦點

  作者；豐寧 "混合鍵合"?之戰(zhàn)，似乎已箭在弦上。 不管是在晶圓代工龍頭、存儲芯片巨頭還是半導體設(shè)備龍頭的發(fā)展路線圖中，幾乎都能看到?"混合鍵合（Hybrid Bonding）"?這一關(guān)鍵詞。 那么，為何這項技術(shù)能讓臺積電、三星等巨頭集體押注？它又憑什么征服先進封裝的下一個十年？ 01 混合鍵合，下一個十年 隨著摩爾定律逐漸進入其發(fā)展軌跡的后半段，芯片產(chǎn)業(yè)越來越依賴先進的封裝技術(shù)來推動性能的飛躍。這

  半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

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  20小時前

  HBM 鍵合工藝

  
• 存儲大廠最新財報超業(yè)界預期

  在人工智能、數(shù)據(jù)中心等助力下，存儲市場發(fā)展勢頭較為強勁，受益于此，近期存儲大廠美光科技率先交出亮眼財報。

  全球半導體觀察

  414

  06/26 17:33

  TrendForce HBM
• 突發(fā)！SK海力士280億項目遭起訴！

  SK海力士在美國印第安納州的“高帶寬存儲器（HBM）半導體封裝及研發(fā)工廠項目”正面臨當?shù)鼐用竦男姓V訟。如果項目延期，預計將影響其獲得《芯片保護與信息處理法案》（CHIPS Act）補貼和集群建設(shè)計劃。

  芯片說 IC TIME

  364

  06/20 14:31

  SK海力士 HBM
• 突發(fā)！千億晶圓廠項目推遲

  SK海力士在投資擴大其尖端DRAM和HBM（高帶寬存儲器）產(chǎn)能方面持謹慎態(tài)度。據(jù)悉，該公司推遲了原定的提前將設(shè)備引入新工廠的計劃，今年整體設(shè)備投資規(guī)模的最終確定時間也被推遲。

  芯片說 IC TIME

  535

  06/19 10:50

  dram HBM

  
• 三星又向博通供應HBM3E

  繼AMD之后，三星電子正向博通供應第五代高帶寬存儲器(HBM)。今年第一季度，三星電子在向NVIDIA供應HBM方面，將全球DRAM銷量冠軍寶座拱手讓給了SK海力士，但憑借一系列大型科技訂單，三星電子已為復蘇奠定了基礎(chǔ)。如果三星電子能夠順利獲得NVIDIA的認證（批準），而這是其今年下半年面臨的最大挑戰(zhàn)，預計存儲器“超缺口”的收復也將加速。

  芯片說 IC TIME

  214

  06/19 09:57

  HBM HBM3E

  
• DRAM，開啟30年“新賭局”

  DRAM制程如何突破?10nm？這曾是困擾行業(yè)的共同課題。近日，SK海力士帶來了它的答案。本周，2025年IEEE VLSI?研討會在日本東京舉行，會議上SK海力士提出了未來30年的新?DRAM?技術(shù)路線圖。SK?海力士表示，4F2?VG和3D DRAM技術(shù)將應用于10nm及以下級內(nèi)存。

  半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

  2801

  06/16 09:29

  dram HBM

  
• 三家半導體大廠搶灘HBM與先進封裝設(shè)備

  隨著全球人工智能（AI）與高性能計算（HPC）需求的爆發(fā)式增長，高帶寬內(nèi)存HBM已成為支撐下一代算力基礎(chǔ)設(shè)施的關(guān)鍵技術(shù)。HBM通過3D封裝堆疊多層DRAM，并利用硅通孔（TSV）實現(xiàn)高速互聯(lián)，對芯片制造與封裝設(shè)備提出了更高要求。在此背景下，全球半導體設(shè)備大廠正積極布局，其中韓美半導體、中微公司、盛美上海近期動作頻頻，顯示出在HBM及先進封裝領(lǐng)域的強勁發(fā)力。

  全球半導體觀察

  871

  06/12 09:40

  半導體設(shè)備 先進封裝

  
• 2025年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元

  2025年第一季由于一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價下跌，加上HBM出貨規(guī)模收斂，DRAM產(chǎn)業(yè)營收為270.1億美元，季減5.5%。在平均銷售單價方面，由于Samsung（三星）更改HBM3e產(chǎn)品設(shè)計，HBM產(chǎn)能排擠效應減弱，促使下游業(yè)者去化庫存，導致多數(shù)產(chǎn)品合約價延續(xù)2024年第四季以來的跌勢。 展望2025年第二季，隨著PC OEM和智能手機業(yè)者陸續(xù)完成庫存去化，并積

  與非網(wǎng)編輯

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  06/03 13:51

  dram SK海力士

  

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