• 高阻接地對(duì)電力系統(tǒng)穩(wěn)定性的影響是什么

  高阻接地對(duì)電力系統(tǒng)穩(wěn)定性影響具兩面性。積極方面，能限制故障電流、降低過電壓水平，使系統(tǒng)在故障時(shí)可繼續(xù)運(yùn)行，提高供電可靠性，且便于故障定位與保護(hù)配置；消極方面，會(huì)改變零序網(wǎng)絡(luò)，可能加劇系統(tǒng)振蕩，對(duì)分布式電源接入及系統(tǒng)電壓分布產(chǎn)生影響。實(shí)際應(yīng)用中，需依據(jù)系統(tǒng)具體情況綜合考量，合理選擇接地方式并采取優(yōu)化措施，以保障電力系統(tǒng)安全穩(wěn)定運(yùn)行。

  保定奧卓電氣

  267

  15小時(shí)前

  電力系統(tǒng)
• 高溫?cái)嚯娢C(jī) AN1V PB302如何用0.0025ms響應(yīng)守住儲(chǔ)能系統(tǒng) 安全紅線

  7月應(yīng)該是一年之中氣溫最高的季節(jié)了，也是電網(wǎng)負(fù)荷激增的時(shí)候，這給儲(chǔ)能系統(tǒng)安全帶來(lái)了不小壓力，類似熱失控、過流引發(fā)的安全事故頻發(fā)。儲(chǔ)能系統(tǒng)對(duì)電流檢測(cè)的實(shí)時(shí)性要求極高，稍微延時(shí)都可能釀成大禍，傳統(tǒng)電流傳感器響應(yīng)慢，無(wú)法及時(shí)切斷故障電流，導(dǎo)致事故擴(kuò)大，而芯森電子推出的AN1V PB302系列微型霍爾電流傳感器，以0.0025ms（2.5微秒）超快響應(yīng)，或成為儲(chǔ)能安全的“最后一道防線”。 為什么儲(chǔ)能系統(tǒng)需

  芯森電子

  261

  16小時(shí)前

  霍爾電流傳感器
• 從開關(guān)速度看MOSFET在高頻應(yīng)用中的性能表現(xiàn)

  一、MOSFET開關(guān)速度的定義與影響因素 開關(guān)速度是MOSFET在導(dǎo)通（開）和關(guān)斷（關(guān)）狀態(tài)之間的切換速度，通常以上升時(shí)間（tr）、下降時(shí)間（tf）和開關(guān)時(shí)間（ts）來(lái)描述。開關(guān)速度越快，MOSFET切換的響應(yīng)時(shí)間越短，意味著更小的開關(guān)損耗和更高的工作效率。MOSFET的開關(guān)速度主要受以下幾個(gè)因素的影響： 門極電荷（Qg）：門極電荷是MOSFET開關(guān)過程中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，直接決定了開關(guān)速度。門極電

  MDD辰達(dá)半導(dǎo)體

  340

  16小時(shí)前

  MOS
• 接地電阻過大或過小會(huì)怎樣

  接地電阻的數(shù)值大小對(duì)電氣安全至關(guān)重要。過大時(shí)，會(huì)使保護(hù)裝置失效、設(shè)備外殼帶電風(fēng)險(xiǎn)增加、防雷效果減弱且系統(tǒng)穩(wěn)定性下降；過小則可能增加雜散電流干擾、引發(fā)接地網(wǎng)腐蝕并提高成本。其合理范圍需依場(chǎng)景而定，如低壓配電系統(tǒng)中性點(diǎn)≤4Ω、防雷接地≤10Ω 等。實(shí)際中，可通過增加接地極、用降阻劑等調(diào)電阻，還需合理設(shè)計(jì)接地網(wǎng)并定期維護(hù)，以保障設(shè)備和人員安全。

  保定奧卓電氣

  196

  20小時(shí)前

  接地電阻

正在努力加載...