• DRAM，開啟30年“新賭局”

  DRAM制程如何突破?10nm？這曾是困擾行業(yè)的共同課題。近日，SK海力士帶來了它的答案。本周，2025年IEEE VLSI?研討會在日本東京舉行，會議上SK海力士提出了未來30年的新?DRAM?技術路線圖。SK?海力士表示，4F2?VG和3D DRAM技術將應用于10nm及以下級內存。

  半導體產業(yè)縱橫

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  06/16 09:29

  dram HBM

  

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