• 用PMOS搭建一個電源端防反接電路，附帶仿真原理圖和仿真驗證結(jié)果

  在電子設(shè)計中，電源接反是個“老大難”問題，輕則燒元件，重則全軍覆沒。而PMOS防反接電路以其簡潔高效，成為了電路設(shè)計的“護城河”。接下來我們就從原理設(shè)計結(jié)合仿真驗證看看電路的防反效果。

  硬件那點事兒

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  06/20 10:58

  電源 PMOS

  
• PMOS NBTI效應(yīng)，從失效原理到主流工藝改善！

  近年來，隨著半導(dǎo)體工業(yè)的不斷發(fā)展，集成電路設(shè)計及制造工藝取得了非常巨大的進步，越來越多的先進技術(shù)運用到集成電路制造工藝中，促進了集成電路尺寸的微縮。隨著器件尺寸的不斷縮小，尤其是進入先進技術(shù)節(jié)點之后，器件可靠性問題日趨嚴重，對器件的進一步微縮構(gòu)成的很大挑戰(zhàn)。其中PMOS負偏壓溫度不穩(wěn)定性（Negative bias temperature instability， NBTI）尤為突出，嚴重限制了PMOS器件壽命，已成為器件微縮時比較棘手的問題之一。

  國芯制造

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  04/28 12:05

  PMOS

  
• 手把手教你用PMOS搭建一個電源端反接保護電路，1000字搞清楚每個器件的選型

  下面是一個反接保護電路，用在12V電源輸入端，保護后級負載不被電源接反給“坑”了。這個電路的核心任務(wù)是防止電源正負極接反時，電流反向流到負載，把后級電路燒壞。

  硬件那點事兒

  4228

  04/07 11:35

  電路設(shè)計 保護電路

  
• PMOS與NMOS的工作原理

  學(xué)員問：PMOS與NMOS是如何工作的？什么是PMOS與NMOS？此處以增強型PMOS,NMOS為例，通常說的MOS管說的都是增強型MOS管。

  TOM聊芯片智造

  3245

  03/10 16:12

  NMOS PMOS

  
• 用4200A和矩陣開關(guān)搭建自動智能的可靠性評估平臺

  在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導(dǎo)的退化是一個重要的與可靠性相關(guān)的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場加速時獲得動能。當大多數(shù)載流子到達漏極時，熱載流子（動能非常高的載流子）由于原子能級碰撞的沖擊電離，可以在漏極附近產(chǎn)生電子—空穴對。其他的可以注入柵極通道界面，打破Si-H鍵，增加界面態(tài)密度。CHC的影響是器件參數(shù)的時間相關(guān)的退化，如VT、IDLIN和IDSAT。這種通道熱載流子

  與非網(wǎng)編輯

  1585

  2024/12/11

  NMOS 編輯器

  
• 數(shù)字邏輯電路之邏輯門非邏輯

  在數(shù)字電路中，基礎(chǔ)邏輯門最后一個為非門，非門又叫反向器，是將輸入信號取反然后輸出。

  芯片小芯

  3.7萬

  2024/07/30

  電路 CMOS
• PMOS管和NMOS管的區(qū)別

  1. PMOS管 摻雜類型：PMOS管中，溝道為P型，也就是在P型半導(dǎo)體中形成導(dǎo)電通道。 電子流動：PMOS管中，電子從N型源極注入到P型溝道，然后通過漏極流出。 電壓控制：PMOS管的導(dǎo)通受負電壓控制，當柵極施加正電壓時，PMOS管導(dǎo)通；當柵極施加負電壓時，PMOS管截止。 邏輯電平：在數(shù)字電路中，PMOS管通常用于實現(xiàn)負邏輯（即高電平對應(yīng)0，低電平對應(yīng)1）。 2. NMOS管 摻雜類型：NMO

  eefocus_3901714

  2287

  03/13 08:33

  NMOS PMOS
• cmos和nmos以及pmos的區(qū)別

  CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）、NMOS（N-type Metal-Oxide-Semiconductor）和PMOS（P-type Metal-Oxide-Semiconductor）是三種常見的MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）器件類型。

  eefocus_3901714

  1.5萬

  2024/11/28

  CMOS MOS

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