• 用PMOS搭建一個(gè)電源端防反接電路，附帶仿真原理圖和仿真驗(yàn)證結(jié)果

  在電子設(shè)計(jì)中，電源接反是個(gè)“老大難”問(wèn)題，輕則燒元件，重則全軍覆沒(méi)。而PMOS防反接電路以其簡(jiǎn)潔高效，成為了電路設(shè)計(jì)的“護(hù)城河”。接下來(lái)我們就從原理設(shè)計(jì)結(jié)合仿真驗(yàn)證看看電路的防反效果。

  硬件那點(diǎn)事兒

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  06/20 10:58

  電源 PMOS

  
• PMOS NBTI效應(yīng)，從失效原理到主流工藝改善！

  近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體工業(yè)的不斷發(fā)展，集成電路設(shè)計(jì)及制造工藝取得了非常巨大的進(jìn)步，越來(lái)越多的先進(jìn)技術(shù)運(yùn)用到集成電路制造工藝中，促進(jìn)了集成電路尺寸的微縮。隨著器件尺寸的不斷縮小，尤其是進(jìn)入先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后，器件可靠性問(wèn)題日趨嚴(yán)重，對(duì)器件的進(jìn)一步微縮構(gòu)成的很大挑戰(zhàn)。其中PMOS負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性（Negative bias temperature instability， NBTI）尤為突出，嚴(yán)重限制了PMOS器件壽命，已成為器件微縮時(shí)比較棘手的問(wèn)題之一。

  國(guó)芯制造

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  04/28 12:05

  PMOS

  
• 手把手教你用PMOS搭建一個(gè)電源端反接保護(hù)電路，1000字搞清楚每個(gè)器件的選型

  下面是一個(gè)反接保護(hù)電路，用在12V電源輸入端，保護(hù)后級(jí)負(fù)載不被電源接反給“坑”了。這個(gè)電路的核心任務(wù)是防止電源正負(fù)極接反時(shí)，電流反向流到負(fù)載，把后級(jí)電路燒壞。

  硬件那點(diǎn)事兒

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  04/07 11:35

  電路設(shè)計(jì) 保護(hù)電路

  
• PMOS與NMOS的工作原理

  學(xué)員問(wèn)：PMOS與NMOS是如何工作的？什么是PMOS與NMOS？此處以增強(qiáng)型PMOS,NMOS為例，通常說(shuō)的MOS管說(shuō)的都是增強(qiáng)型MOS管。

  TOM聊芯片智造

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  03/10 16:12

  NMOS PMOS

  
• 用4200A和矩陣開(kāi)關(guān)搭建自動(dòng)智能的可靠性評(píng)估平臺(tái)

  在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導(dǎo)的退化是一個(gè)重要的與可靠性相關(guān)的問(wèn)題。載流子在通過(guò)MOSFET通道的大電場(chǎng)加速時(shí)獲得動(dòng)能。當(dāng)大多數(shù)載流子到達(dá)漏極時(shí)，熱載流子（動(dòng)能非常高的載流子）由于原子能級(jí)碰撞的沖擊電離，可以在漏極附近產(chǎn)生電子—空穴對(duì)。其他的可以注入柵極通道界面，打破Si-H鍵，增加界面態(tài)密度。CHC的影響是器件參數(shù)的時(shí)間相關(guān)的退化，如VT、IDLIN和IDSAT。這種通道熱載流子

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  2024/12/11

  NMOS 編輯器

  
• 數(shù)字邏輯電路之邏輯門(mén)非邏輯

  在數(shù)字電路中，基礎(chǔ)邏輯門(mén)最后一個(gè)為非門(mén)，非門(mén)又叫反向器，是將輸入信號(hào)取反然后輸出。

  芯片小芯

  3.7萬(wàn)

  2024/07/30

  電路 CMOS
• 超寬電壓，“絲”級(jí)精度——南芯科技推出車規(guī)級(jí)電子保險(xiǎn)絲SC77010BQ

  南芯科技（證券代碼：688484）宣布推出車規(guī)級(jí)電子保險(xiǎn)絲 (eFuse) SC77010BQ/SC77010Q，憑借 60V 的超寬工作電壓和高精度電流檢測(cè)能力，為客戶下一代汽車電子應(yīng)用提供靈活可靠的安全保障。SC77010BQ 符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)，可配置容性負(fù)載軟啟動(dòng)及 Limphome 跛行模式，并支持過(guò)流、過(guò)溫、欠壓以及 MOSFET 飽和等多種系統(tǒng)保護(hù)和診斷功能。該產(chǎn)品現(xiàn)已大規(guī)

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  2024/06/26

  MOSFET 電池系統(tǒng)

  
• AMEYA360代理：納芯微NSOPA240x系列破解旋轉(zhuǎn)變壓器之“難”

  隨著市場(chǎng)對(duì)高精度、高性能電機(jī)控制技術(shù)的不斷追求，旋轉(zhuǎn)變壓器作為其核心部件之一，其精確測(cè)量角度位置和轉(zhuǎn)速的能力顯得尤為重要。 然而，旋轉(zhuǎn)變壓器驅(qū)動(dòng)電路的特殊要求一直是行業(yè)發(fā)展的技術(shù)瓶頸。為解決這一挑戰(zhàn)，納芯微近日發(fā)布了全新的NSOPA240x系列運(yùn)算放大器，旨在簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)并提高系統(tǒng)魯棒性，為旋轉(zhuǎn)變壓器驅(qū)動(dòng)應(yīng)用帶來(lái)創(chuàng)新性的解決方案。 旋轉(zhuǎn)變壓器作為一種電磁式傳感器，可用來(lái)精確測(cè)量角度位置和轉(zhuǎn)速，在工

  AMEYA360

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  2024/06/17

  變壓器 PMOS
• ADALM2000實(shí)驗(yàn)：CMOS邏輯電路、D型鎖存器

  目標(biāo) 本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目標(biāo)是進(jìn)一步強(qiáng)化上一個(gè)實(shí)驗(yàn)活動(dòng)“ADALM2000實(shí)驗(yàn)：使用CD4007陣列構(gòu)建CMOS邏輯功能”中探討的CMOS邏輯基本原理，并獲取更多使用復(fù)雜CMOS門(mén)級(jí)電路的經(jīng)驗(yàn)。具體而言，您將了解如何使用CMOS傳輸門(mén)和CMOS反相器來(lái)構(gòu)建D型觸發(fā)器或鎖存器。 背景知識(shí) 為了在本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)中構(gòu)建邏輯功能，需要使用ADALP2000模擬部件套件中的CD4007 CMOS陣列和分立式NMOS和

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  2023/06/09

  MOSFET CMOS

  
• ADALM2000實(shí)驗(yàn)：CMOS邏輯電路、傳輸門(mén)XOR

  目標(biāo) 本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)的目標(biāo)是進(jìn)一步強(qiáng)化上一個(gè)實(shí)驗(yàn)活動(dòng)“使用CD4007陣列構(gòu)建CMOS邏輯功能”中探討的CMOS邏輯基本原理，并獲取更多使用復(fù)雜CMOS門(mén)級(jí)電路的經(jīng)驗(yàn)。具體而言，您將了解如何使用CMOS傳輸門(mén)和CMOS反相器來(lái)構(gòu)建傳輸門(mén)異或(XOR)和異或非邏輯功能。 背景知識(shí) 為了在本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)中構(gòu)建邏輯功能，需要使用ADALP2000模擬部件套件中的CD4007 CMOS陣列和分立式NMOS和PMO

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  2023/05/15

  ADI 示波器

  
• 電子和空穴——為什么在同等電流下PMOS的尺寸要比NMOS的大？

  自然界的基本構(gòu)造單元是原子，而原子又是由質(zhì)子，中子和電子組成的。質(zhì)子帶正電，中子不帶電，電子不帶電。質(zhì)子和中子集中在原子核中，電子圍繞原子核運(yùn)動(dòng)，且是在固定的軌道上。

  加油射頻工程師

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  2022/09/30

  PMOS
• 兩個(gè)PMOS管背靠背用法詳解

  這篇文章來(lái)自于微信群的一次交流，主角就是下面的這個(gè)電路。

  記得誠(chéng)

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  2020/09/22

  三極管 MOS管
• 灰常實(shí)用的一鍵開(kāi)關(guān)機(jī)電路，各位大佬進(jìn)來(lái)mark一下？

  今天我們只探索軟件配合機(jī)制，下面是之前發(fā)過(guò)的非常不錯(cuò)的軟件驅(qū)動(dòng)程序，推薦學(xué)習(xí)！

  芯片之家

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  2020/03/17

  電路 電路設(shè)計(jì)
• PMOS過(guò)壓保護(hù)電路

  我最近在翻很早之前的一些交流材料，這份材料應(yīng)該是2011年的時(shí)候和周巖探討大巴和卡車的脈沖抑制的時(shí)候考慮的。有一個(gè)很有趣的事情，就是說(shuō)，我們是否要考慮CMU對(duì)應(yīng)和管理不同電源電壓下對(duì)于不同電壓的情況。

  芝能汽車

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  2018/11/13

  《汽車電子瞭望臺(tái)》系列 電路
• PMOS管和NMOS管的區(qū)別

  1. PMOS管 摻雜類型：PMOS管中，溝道為P型，也就是在P型半導(dǎo)體中形成導(dǎo)電通道。 電子流動(dòng)：PMOS管中，電子從N型源極注入到P型溝道，然后通過(guò)漏極流出。 電壓控制：PMOS管的導(dǎo)通受負(fù)電壓控制，當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，PMOS管導(dǎo)通；當(dāng)柵極施加負(fù)電壓時(shí)，PMOS管截止。 邏輯電平：在數(shù)字電路中，PMOS管通常用于實(shí)現(xiàn)負(fù)邏輯（即高電平對(duì)應(yīng)0，低電平對(duì)應(yīng)1）。 2. NMOS管 摻雜類型：NMO

  eefocus_3901714

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  03/13 08:33

  NMOS PMOS
• cmos和nmos以及pmos的區(qū)別

  CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）、NMOS（N-type Metal-Oxide-Semiconductor）和PMOS（P-type Metal-Oxide-Semiconductor）是三種常見(jiàn)的MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）器件類型。

  eefocus_3901714

  1.5萬(wàn)

  2024/11/28

  CMOS MOS

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