• 半導(dǎo)體二手設(shè)備的認(rèn)知誤區(qū)

  這個(gè)話題其實(shí)一直想寫(xiě)一寫(xiě)，最近怠于動(dòng)筆，今天得空兒碼幾行文字。 半導(dǎo)體二手設(shè)備其實(shí)是半導(dǎo)體領(lǐng)域一個(gè)非常獨(dú)特的存在，別的行業(yè)雖然也存在二手設(shè)備市場(chǎng)，但能夠撐起成熟制程設(shè)備半壁江山的，還真是比較少。雖然二手設(shè)備在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)中扮演了如此重要的角色，但普遍存在一些認(rèn)知誤區(qū)，也導(dǎo)致很多人對(duì)這個(gè)行業(yè)有誤解。 正是因?yàn)橛姓`解，導(dǎo)致相關(guān)公司特別不愿意提自己是二手設(shè)備廠商， “二手” 倆字都羞于啟齒，反倒用一

  步日欣

  380

  06/25 12:41

  半導(dǎo)體設(shè)備 半導(dǎo)體工藝

  
• 什么是SPT技術(shù)，SPT技術(shù)位于工藝流程什么位置？

  在半導(dǎo)體工藝中，SPT 通常是指應(yīng)力鄰近技術(shù)（Stress Proximity Technology）。它是一種通過(guò)在柵極周圍形成特定結(jié)構(gòu)或沉積特定材料，將應(yīng)力引入到半導(dǎo)體溝道中的工藝技術(shù)。具體介紹如下：

  國(guó)芯制造

  551

  06/17 15:15

  半導(dǎo)體工藝 SPT技術(shù)

  
• 在半導(dǎo)體SiGe工藝中，為什么需要分兩步生長(zhǎng)？

  在半導(dǎo)體 SiGe 工藝中，分兩步生長(zhǎng)低摻雜 Ge 層和高摻雜 Ge 層主要基于以下多方面的工藝優(yōu)化需求：晶格常數(shù)差異：Ge的晶格常數(shù)（5.66 ?）比Si（5.43 ?）大約4%，直接在 Si 襯底上生長(zhǎng)高摻雜 Ge 層會(huì)因晶格失配產(chǎn)生高應(yīng)力，導(dǎo)致位錯(cuò)等缺陷。第一步低摻雜 Ge 層作為緩沖層，通過(guò)較低的摻雜濃度和漸變的 Ge 含量（如從 Si 到 SiGe 的過(guò)渡），逐步釋放晶格應(yīng)力，為后續(xù)高摻雜層提供穩(wěn)定的生長(zhǎng)基礎(chǔ)。

  國(guó)芯制造

  702

  06/17 08:50

  半導(dǎo)體工藝 SiGe

  

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