AFT09MS031NR1 寬帶射頻功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)手冊

2023/04/25 作者：恩智浦

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AFT09MS031NR1 寬帶射頻功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)手冊

AFT09MS031N和AFT09MS031GN是專為頻率從764到941 MHz的移動雙向無線電應(yīng)用設(shè)計的。這些器件具有高增益、耐用性和寬帶性能，非常適合在移動無線電設(shè)備中作為大信號、共源放大器應(yīng)用的理想選擇。

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器件型號	數(shù)量	器件廠商	器件描述	ECAD模型	參考價格	更多信息
DB-5R5D105T	1	ELNA America Inc	Electric Double Layer Capacitor, 5.5V, 80% +Tol, 20% -Tol, 1000000uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED	ECAD模型下載ECAD模型	$3.48	查看
RK73Z2ATTD	1	KOA Corporation	Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0ohm, Surface Mount, 0805, CHIP, ROHS COMPLIANT	ECAD模型下載ECAD模型	$0.01	查看
CRCW080510K0FKEAHP	1	Vishay Intertechnologies	Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.5W, 10000ohm, 150V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0805, CHIP, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT	ECAD模型下載ECAD模型	$0.2	查看

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。收起