MRFE6VP5300NR1, MRFE6VP5300GNR1 寬帶射頻功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)表

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRFE6VP5300NR1, MRFE6VP5300GNR1 寬帶射頻功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)表

這些高堅(jiān)固性的設(shè)備是設(shè)計(jì)用于高駐波比工業(yè)(包括激光和等離子體激勵(lì)器)，廣播(模擬和數(shù)字)，航空航天和無(wú)線電/陸地移動(dòng)應(yīng)用。它們是不匹配的輸入和輸出設(shè)計(jì)允許寬頻率范圍利用，在1.8和600 MHz。

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更多器件

器件型號(hào)	數(shù)量	器件廠商	器件描述	ECAD模型	參考價(jià)格	更多信息
GCM188R71H103KA37D	1	Murata Manufacturing Co Ltd	Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 50V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.01uF, Surface Mount, 0603, CHIP, ROHS COMPLIANT	ECAD模型下載ECAD模型	$0.01	查看
08055C104KAT4A	1	Kyocera AVX Components	Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 0.1uF, 50V, ±10%, X7R, 0805 (2012 mm), Sn/NiBar, -55o ~ +125oC, 13" Reel	ECAD模型下載ECAD模型	$0.1	查看
2-320563-3	1	TE Connectivity	1.42mm2, WIRE TERMINAL		$0.76	查看

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。收起