ufs3.1

本届展会，康芯威将展出众多自研存储芯片及解决方案。其中eMMC5.1 嵌入式存储芯片具备读写速度快且可靠性强等性能优势，不仅支持目前规范高的HS400标准，在速度和后期流畅度上都做到了行业先进水平，还在固件中加入断电保护、坏块监测等算法，大大提高了产品可靠性，可全方位覆盖4~256GB容量的产品以及2D/3D闪存。 而UFS 3.1嵌入式存储芯片支持主流UFS 3.1规格，支持写入速度加快（Write Booster）、深度睡眠（DeepSleep）、性能限制通知（Performance Throttling Notification）等功能，单通道带宽为11.6Gbps，最大速度达23.2Gbps；控制器兼容六大原厂200layer以上最新的闪存方案，支持128GB-1TB 模组容量。

ufs3.1读写速度达到了700MB/s，即便容量满载也不会掉速。UFS 3.1是在UFS 3.0的基础上进一步带来了性能、功耗、成本等方面的进一步优化。

UFS 3.1是手机闪存的最新标准，全称是通用闪存存储“Universal Flash Storage”， UFS 3.1就是UFS 3.0的升级版，最直观的速度方面是达到了UFS 2.1的两倍，而且相比较主要改善效能存取与省电性能。简单来说UFS3.0标准在传输速度上更快，功耗更低，软件响应更快，程序运行更流畅，而省电效果更佳。

Universal Flash Storage 3.1（UFS3.1）是一种高速闪存存储技术，最初由联发科公司和三星电子共同开发。它是一种用于内部存储器（例如智能手机和平板电脑）的闪存存储器解决方案。

UFS 3.1和NVMe是两种不同的存储设备接口，它们在性能和用途方面有很大的差异。下面将对它们进行简要介绍和性能对比。