• 從閃存到MRAM：滿足現(xiàn)代FPGA配置的需求

  在技術(shù)飛速發(fā)展的今天，新興的航空電子、關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施和汽車應(yīng)用正在重新定義人們對現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來存儲配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應(yīng)用；然而，隨著技術(shù)的進步以及對更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲選項。這種轉(zhuǎn)變的催化劑在于應(yīng)用和行業(yè)的不同需求，它們目前正不斷突破FPGA應(yīng)用的極限，要求在數(shù)據(jù)完整性、系統(tǒng)耐用性和運行效率等

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  02/24 08:09

  FPGA MRAM

  
• 這個30億元的MRAM項目順利封頂，存儲項目多點開花

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日新月異，存儲芯片領(lǐng)域始終是技術(shù)角逐與產(chǎn)業(yè)革新的關(guān)鍵戰(zhàn)場。近期，致真存儲30億元MRAM項目順利封頂，行業(yè)內(nèi)多個存儲項目你追我趕，多點開花。華為在存儲設(shè)備采購項目中標，晶存科技穩(wěn)步擴張，佰維存儲以及美光的項目也即將投產(chǎn)...

  全球半導(dǎo)體觀察

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  01/26 11:45

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 存儲芯片

  
• MRAM，新興的黑馬

  1956 年，IBM推出世界上第一個硬盤驅(qū)動器——RAMAC 305，可以存儲 5MB 的數(shù)據(jù)，傳輸速度為 10K/s。雖然這款硬盤體積巨大如同兩臺冰箱，重量超過一噸，但是卻標志著磁盤存儲時代的開始。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  2401

  2024/10/15

  dram MRAM

  
• 北京航空航天大學(xué)副校長趙巍勝：MRAM最新進展及未來發(fā)展趨勢

  近日，北京航空航天大學(xué)黨委常委、副校長趙巍勝，分享了MRAM最新進展及未來發(fā)展趨勢。MRAM的前身是磁存儲，其是人工智能時代的根技術(shù)，如今數(shù)據(jù)中心中有70%以上的數(shù)據(jù)依舊保存其中。十年前就有不少專家認為未來磁存儲將被SSD完全取代，然而十年后，磁存儲依舊是最重要的存儲技術(shù)。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  2172

  2024/10/08

  存儲技術(shù) MRAM

  
• 下一個“黑馬”賽道，MRAM存儲器市場蠢蠢欲動

  據(jù)日經(jīng)新聞網(wǎng)報道，近期晶圓代工廠商力積電（PSMC）傳出將和日本新創(chuàng)企業(yè)合作，目標在2029年量產(chǎn)MRAM，將利用力積電計劃在日本興建的晶圓廠第2期工程產(chǎn)線進行量產(chǎn)。根據(jù)報道，東北大學(xué)長年來持續(xù)研究MRAM，而PowerSpin將提供MRAM IP給力積電，力積電在推動研究、試產(chǎn)后，目標在2029年開始進行量產(chǎn)，期待可應(yīng)用于生成式AI數(shù)據(jù)中心。

  全球半導(dǎo)體觀察

  3406

  2024/02/18

  存儲器 存儲市場

  
• 巨頭押注，MRAM開始爆發(fā)

  存儲技術(shù)發(fā)展更迭50年，逐漸形成了SRAM、DRAM及Flash這三大主要領(lǐng)域。但是隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)持續(xù)朝更小的技術(shù)節(jié)點邁進，傳統(tǒng)的DRAM和NAND Flash開始面臨越來越嚴峻的微縮挑戰(zhàn)；再加上由于這些存儲技術(shù)與邏輯計算單元之間發(fā)展速度的失配，嚴重制約了計算性能和能效的進一步提升。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  1835

  2024/02/01

  存儲市場 存儲技術(shù)

  
• MRAM：RAM和NAND再遇強敵

  MRAM是一種非易失性存儲技術(shù)，通過磁致電阻的變化來表示二進制中的0和1，從而實現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲。由于產(chǎn)品本身具備非易失性，讓其在斷電情況下依然可以保留數(shù)據(jù)信息，并擁有不遜色于DRAM內(nèi)存的容量密度和使用壽命，平均能耗也遠低于DRAM。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  2365

  2023/11/22

  NAND 存儲技術(shù)

  
• 恩智浦攜手臺積電推出行業(yè)首創(chuàng)汽車級16納米FinFET嵌入式MRAM

  恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.，納斯達克股票代碼：NXPI）近日宣布與臺積電合作交付行業(yè)首創(chuàng)的采用16納米FinFET技術(shù)的汽車嵌入式MRAM（磁隨機存儲器）。在向軟件定義汽車（SDV）的過渡中，汽車廠商需要在單個硬件平臺上支持多代軟件升級。利用16納米FinFET技術(shù)將恩智浦的高性能S32汽車處理器和快速且高度可靠的新一代非易失性存儲器MRAM相結(jié)合，為向軟件定義汽

  與非網(wǎng)編輯

  765

  2023/05/22

  臺積電 MRAM
• 迷人的新型存儲

  多年來，各大廠商多年來孜孜不倦地追求閃存更高層數(shù)和內(nèi)存更先進制程。現(xiàn)代社會已經(jīng)進入大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)時代——一方面，數(shù)據(jù)呈爆炸式增長，芯片就必須需要具備巨大的計算能力 ；另一方面，依據(jù)傳統(tǒng)摩爾定律微縮的半導(dǎo)體技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)越來越大、需要的成本越來越高、實現(xiàn)的性能提高也趨于放緩。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

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  2023/03/17

  存儲器 三星電子
• 破解內(nèi)存墻，除了“存算一體”還需要什么？

  20世紀初的物理學(xué)家不會想到，懸浮在物理學(xué)大廈上的兩朵烏云會徹底顛覆整個物理學(xué)體系，馮·諾依曼在參與曼哈頓工程提出新架構(gòu)時，也不會想到未來阻止芯片算力進步的竟然不是芯片本身。 ? 馮·諾依曼結(jié)構(gòu)的誕生與局限 1945年6月30日，美國正在秘密進行曼哈頓計劃。馮·諾依曼作為該計劃的重要參與者與領(lǐng)導(dǎo)者，與另外兩位組內(nèi)科學(xué)家發(fā)表了一篇長達101頁的報告，這就是計算機史上著名的“101頁報告”，

  劉浩然

  1969

  2023/01/06

  與非觀察 存算一體
• 高效能運算搧風(fēng)點火　次世代記憶體蓄勢待發(fā)

  人工智能(AI)應(yīng)用的興起，帶動了高效能運算的發(fā)展。為了應(yīng)付極為繁重的運算任務(wù)，處理器、微控制器(MCU)業(yè)者，不是推出運算效能更高的新產(chǎn)品，就是推出了內(nèi)建專用加速單元的解決方案，來提升運算單元處理AI運算的效率。

  新電子科技雜志?Micro-Electronics Magazine

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  2022/08/29

  MRAM 記憶體
• 存算一體：MRAM席卷而來

  MRAM 在速度、耐久性、功耗這些方面具有不可替代的優(yōu)越性。因此，MRAM 是實現(xiàn)存算一體的理想存儲器之一。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  754

  2022/04/26

  存算一體 MRAM
• MRAM更近一步

  1月13日，三星電子宣布展示世界上第一個基于MRAM（磁阻隨機存取存儲器）的內(nèi)存計算，相關(guān)論文于1月12日在Nature發(fā)表。

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

  760

  2022/01/30

  三星電子 MRAM
• 存算一體技術(shù)新突破，劍指下一代AI芯片

  近日，三星電子在頂級學(xué)術(shù)期刊 Nature 上發(fā)表了全球首個基于 MRAM（磁性隨機存儲器）的存內(nèi)計算研究。

  技術(shù)大院

  992

  2022/01/19

  AI芯片 三星電子
• 三星存內(nèi)計算登Nature，全球首搭MRAM，鋪路下一代AI芯片

  近日，三星電子在頂級學(xué)術(shù)期刊Nature上發(fā)表了全球首個基于MRAM（磁性隨機存儲器）的存內(nèi)計算研究。存內(nèi)計算由于毋需數(shù)據(jù)在存儲器和處理器間移動，大大降低了AI計算的功耗，被視作邊緣AI計算的一項前沿研究。

  芯東西

  339

  2022/01/19

  AI芯片 三星電子
• 產(chǎn)業(yè)丨存儲市場的技術(shù)與商業(yè)變革的相互影響

  ·聚焦:人工智能、芯片等行業(yè)

  AI芯天下

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  2021/04/19

  英特爾 美光
• 新型內(nèi)存技術(shù)MRAM、ReRAM和PCRAM做好了量產(chǎn)準備

  當前計算架構(gòu)的演變、制造工藝的進步已經(jīng)很難推動芯片計算速度的發(fā)展，各種新型應(yīng)用帶來的數(shù)據(jù)爆炸導(dǎo)致數(shù)據(jù)訪問性能和計算性能的失衡不斷增長，從而推動了許多新型隨機存取存儲器（RAM）技術(shù)的發(fā)展。比較典型的新型RAM技術(shù)包括磁阻RAM（MRAM）、電阻式RAM（ReRAM）和相變RAM（PCRAM）。

  與非網(wǎng)記者

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  2019/08/06

  與非觀察 三星
• 英特爾、三星等半導(dǎo)體廠商爭相搶奪，MRAM到底有什么魅力？

  烽煙起，存儲器大戰(zhàn)已迫在眉睫。要說參戰(zhàn)方有哪些？分別是MRAM、PRAM、ReRAM。

  邱麗婷

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  2019/01/03

  英特爾 三星
• 趣科技︱3D XPoint/Z-SSD/MRAM/ReRAM，誰才是下一代存儲王者？

  3D XPoint、Z-SSD、MRAM、ReRAM都被看作是下一代存儲器。競爭如此激烈，各巨頭又是如何布局下一代存儲器技術(shù)的？

  與非網(wǎng)記者

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  2017/02/19

  存儲器 趣科技
• MRAM/ReRAM/3D XPoint/Z-SSD，下一代存儲器混戰(zhàn)何時休？

  2007年，SSD應(yīng)用到數(shù)據(jù)中心中。根據(jù)Forward Insights的報道，固態(tài)硬盤能夠幫助減少DRAM和磁盤之間日益增長的延遲鴻溝，將兩者之間的延遲差距縮短了10倍。但是隨著數(shù)據(jù)的持續(xù)爆炸姓增長，當今系統(tǒng)中DRAM和NAND之間的延遲差距大約為1,000倍。事實上，多年來，業(yè)界一直在尋找一種可以解決延遲差距的新型內(nèi)存類型。

  與非網(wǎng)記者

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  2016/10/13

  存儲器 內(nèi)存

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