• 英飛凌推出具有超低導(dǎo)通電阻的CoolSiC? MOSFET 750 V G2

  全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業(yè)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)效率和功率密度而設(shè)計。它提供一系列精細化的產(chǎn)品組合，在25°C時R DS(on) 值為4至60 mΩ，廣泛適用于車載充電器（OBC）、 DC

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  18小時前

  英飛凌 轉(zhuǎn)換器

  
• 意法半導(dǎo)體推出新款柵極驅(qū)動器，適用于控制無線家電、移動機器人和工業(yè)驅(qū)動設(shè)備的無刷電機

  意法半導(dǎo)體推出新一代集成化柵極驅(qū)動器STDRIVE102H和STDRIVE102BH，用于控制三相無刷電機，提高消費電子和工業(yè)設(shè)備的性能、能效和經(jīng)濟性。 STDRIVE102H適用于單電阻電流采樣電機控制方案，而STDRIVE102BH適用于三電阻電流采樣電機控制設(shè)計，工作電壓范圍6V 至 50V，設(shè)計人員可以通過兩個模擬引腳輕松配置驅(qū)動器，用一個簡單的電阻分壓器設(shè)置柵極驅(qū)動器的驅(qū)動電流，無需使用

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  06/23 08:12

  意法半導(dǎo)體 MOSFET

  
• SiC MOSFET 并聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)

  基于多個高功率應(yīng)用案例，我們可以觀察到功率模塊與分立MOSFET并存的明顯趨勢，兩者在10kW至50kW功率范圍內(nèi)存在顯著重疊。雖然模塊更適合這個區(qū)間，但分立MOSFET卻能帶來獨特優(yōu)勢：設(shè)計自由度更高和更豐富的產(chǎn)品組合。當(dāng)單個 MOSFET 無法滿足功率需求時，再并聯(lián)一顆MOSFET即可解決問題。 然而，功率并非是選用并聯(lián)MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并聯(lián)還可以降低開關(guān)能耗，改善導(dǎo)熱

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  06/19 17:35

  MOSFET 散熱器

  
• 本土功率器件上市公司營收top10 | 2024年

  2024年，全球功率器件市場整體呈萎靡態(tài)勢。然而，中國市場受益于本土新能源汽車、光伏儲能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的需求增長，市場規(guī)模仍呈現(xiàn)上漲態(tài)勢。本土廠商整體實力顯著提升，不斷加大研發(fā)投入，加快技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)品迭代，逐步突破高端領(lǐng)域瓶頸，國產(chǎn)化進程顯著加快。 一年一統(tǒng)計，本期與非網(wǎng)聚焦本土功率器件上市公司，詳盡梳理頭部上市公司的2024年營業(yè)收入規(guī)模和企業(yè)動態(tài)。往期可參考《本土功率器件上市公司營收top1

  史德志

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  06/19 10:00

  SiC MOSFET

  
• 在MOSFET中，什么是CGD電容？與哪些工藝相關(guān)？

  什么是Cgd電容？想象一下MOSFET就像一個水龍頭，柵極(G)是開關(guān)把手，漏極(D)是出水口，源極(S)是進水口。Cgd就是把手和出水口之間"看不見的電線"（電容），它會讓開關(guān)動作變得不那么干脆。

  國芯制造

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  06/18 12:44

  電容 MOSFET

  
• CoolSiC? MOSFET G2導(dǎo)通特性解析

  上一篇我們介紹了英飛凌CoolSiC? MOSFET?G2的產(chǎn)品特性。那么在實際應(yīng)用中，G2如何進行正確的選型呢？接下來兩篇文章會和大家仔細探討這個問題。今天的文章將會主要聚集在G2的導(dǎo)通特性上。

  英飛凌

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  06/17 10:05

  MOSFET 導(dǎo)通電阻
• 英飛凌CoolMOS 8超結(jié)MOSFET為光寶科技數(shù)據(jù)中心應(yīng)用樹立最佳系統(tǒng)性能新標桿

  全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）為電源管理解決方案領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者光寶科技(2301.tw)提供600 V CoolMOS? 8高壓超結(jié)（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列，使服務(wù)器應(yīng)用擁有更加出色的效率和可靠性。600 V CoolMOS? 8提供了一體化解決方案，將優(yōu)化光寶科技新一代技術(shù)在現(xiàn)有及未來服務(wù)器應(yīng)用與數(shù)據(jù)中心設(shè)計中的性能

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  06/13 15:41

  英飛凌 MOSFET

  
• 南芯科技再推新品，為ADAS系統(tǒng)提供一站式電源解決方案

  南芯科技（證券代碼：688484）宣布推出車規(guī)級升降壓轉(zhuǎn)換器 SC8748Q/SC8749Q，以及高邊開關(guān) SC71420Q/SC71440Q，為 ADAS 系統(tǒng)提供從 ECU 到攝像頭模塊的一站式電源解決方案。全新升降壓轉(zhuǎn)換器集成四個 MOSFET，支持 3.7V-36V 的輸入電壓及 2.5V-20V 的輸出電壓，可連續(xù)輸出最高 3A/5A 的電流，同時提供可選的展頻功能以優(yōu)化 EMI 性能，

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  06/13 14:05

  MCU 智能駕駛

  
• SiC 市場的下一個爆點：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解

  作者：安森美 安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢，本文將重點介紹Cascode結(jié)構(gòu)。 Cascode簡介 碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競爭技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者

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  06/13 08:40

  SiC MOSFET

  
• BLDC驅(qū)動必修課：為何現(xiàn)代MOSFET驅(qū)動IC偏愛“上高下高”邏輯？

  在無刷直流（BLDC）電機的控制系統(tǒng)中，6路PWM信號精準控制上下橋MOSFET的開關(guān)是核心。你是否注意到，驅(qū)動IC對PWM高低電平有效性的配置，經(jīng)歷了從“上高下低”到“上高下高”的顯著轉(zhuǎn)變？這背后不僅僅是邏輯定義的不同，更是技術(shù)與可靠性的進化。今天，我們就來揭秘這兩種PWM配置邏輯的本質(zhì)與選擇依據(jù)。

  CW32生態(tài)社區(qū)

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  06/12 09:09

  MOSFET bldc

  
• CoolSiC? MOSFET Gen2性能綜述

  英飛凌新發(fā)布了CoolSiC? MOSFET Gen2系列產(chǎn)品，單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產(chǎn)品相比，英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V Gen2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，進一步提升了MOSFET的主要性能指標，擁有更高的效率和功率密度。Gen2?SiC性價比提高了15%，是各種工業(yè)應(yīng)用的理想之選。

  英飛凌

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  06/10 10:20

  MOSFET

  
• 無刷電機的驅(qū)動MOSFET

  當(dāng)無葉風(fēng)扇送出柔風(fēng)時，內(nèi)部13萬轉(zhuǎn)無刷電機正被MOSFET精準驅(qū)動；掃地機鉆進7cm縫隙，7組電機協(xié)同完成毫米級貼邊清掃；電動牙刷以31,000次/分鐘振動清潔齒縫，筋膜槍在50μs內(nèi)響應(yīng)力度調(diào)節(jié)，而高空作業(yè)無人機正用高壓水刷洗摩天幕墻——這些看似平常的設(shè)備，背后都藏著無刷電機+電子驅(qū)動的精密控制系統(tǒng)。 一、電機驅(qū)動的技術(shù)內(nèi)核：從機械換向到電子革命 機械換向時代—有刷電機 傳統(tǒng)有刷電機依賴碳刷與換

  eefocus_4006230

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  06/06 17:13

  MOSFET 電機
• 車輛區(qū)域控制架構(gòu)關(guān)鍵技術(shù)——趨勢篇

  作者：安森美 向軟件定義汽車 (SDV) 的轉(zhuǎn)型促使汽車制造商不斷創(chuàng)新，在區(qū)域控制器中集成受保護的半導(dǎo)體開關(guān)。電子保險絲和 SmartFET 可為負載、傳感器和執(zhí)行器提供保護，從而提高功能安全性，更好地應(yīng)對功能故障情況。不同于傳統(tǒng)的域架構(gòu)，區(qū)域控制架構(gòu)采用集中控制和計算的方式，將分散在各個 ECU 上的軟件統(tǒng)一交由強大的中央計算機處理，從而為下游的電子控制和配電提供了更高的靈活性。 系統(tǒng)描述 電動

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  06/05 08:50

  MOSFET 安森美

  
• 晶圓代工企業(yè)案例分析——芯聯(lián)集成

  在晶圓代工領(lǐng)域，有一家與晶合集成類似，成立不久但發(fā)展迅速的廠商，僅用7年時間，公司成了為國內(nèi)規(guī)模最大、技術(shù)最先進的MEMS晶圓代工廠，位列全球MEMS 晶圓代工廠第五名。其核心技術(shù)和產(chǎn)品布局聚焦功率半導(dǎo)體、模擬 IC 與 MCU、傳感器及 AI 領(lǐng)域，形成了覆蓋設(shè)計、制造、封裝的全鏈條能力，它就是——芯聯(lián)集成。 根據(jù) Chip Insights 發(fā)布的《2024 年全球?qū)倬A代工排行榜》，公司已

  王兵

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  06/04 10:01

  SiC MOSFET

  
• ROHM開發(fā)出適用于AI服務(wù)器48V電源熱插拔電路的100V功率MOSFET

  全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）宣布，開發(fā)出100V耐壓的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服務(wù)器的48V電源熱插拔電路*2以及需要電池保護的工業(yè)設(shè)備電源等應(yīng)用的理想之選。 RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET，預(yù)計該尺寸產(chǎn)品未來需求將不斷增長，可以輕松替代現(xiàn)有產(chǎn)品。另外，新產(chǎn)品同時實現(xiàn)了更寬SOA范圍*3（條件：VDS=48V、Pw＝1ms/10ms

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  06/03 14:18

  MOSFET ROHM

  
• Vishay 新款具有領(lǐng)先導(dǎo)通電阻性能的80 V MOSFET可極大改善工業(yè)應(yīng)用的熱性能和可焊性

  這款節(jié)省空間的器件最大RthJC低至0.36 ℃ / W，并配有易于吸附焊錫的側(cè)翼，從而改善工業(yè)應(yīng)用的熱性能和可焊性 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款采用無引線鍵合（BWL）封裝并具有業(yè)內(nèi)先進導(dǎo)通電阻的新款80 V TrenchFET? Gen IV N溝道功率MOSFET---SiEH4800EW，旨在提高工業(yè)應(yīng)用

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  05/30 17:30

  電阻 MOSFET

  
• 利用理想二極管，實現(xiàn)穩(wěn)健的電源

  作者：Frederik Dostal，電源管理專家 摘要 穩(wěn)健的系統(tǒng)通常允許使用多個電源。使用多個不同電源為器件供電時，需要部署若干開關(guān)以將電源相互分隔開，以防損壞。對此，固然可在電源路徑中使用多個二極管來實現(xiàn)，但更靈活、更高效的方法是使用理想二極管。本文將介紹此類理想二極管的優(yōu)勢。文中將展示兩個版本的理想二極管：一個是無需根據(jù)電壓電平選擇輸入電源軌的理想二極管；另一個版本則更加簡單，始終由更高的

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  05/22 17:33

  電路 二極管

  
• AMEYA360 ROHM推出實現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的小型MOSFET 助力快速充電應(yīng)用

  全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產(chǎn)品“AW2K21”，其封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導(dǎo)通電阻*2低至2.0mΩ(Typ.)，達到業(yè)界先進水平。 新產(chǎn)品采用ROHM自有結(jié)構(gòu)，不僅提高器件集成度，還降低單位芯片面積的導(dǎo)通電阻。另外，通過在一個器件中內(nèi)置雙MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計，僅需1枚新產(chǎn)品即可滿足雙向供電電路所需的雙向保

  AMEYA360

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  05/20 16:23

  快充 MOSFET
• MDDG03R04Q,低內(nèi)阻大電流 服務(wù)器和新能源的好幫手

  在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q（30V N溝道增強型MOS）憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機驅(qū)動等場景提供高效解決方案。 一、產(chǎn)品概述：PowerTrench工藝與屏蔽柵技術(shù)的融合 ? MDDG03R04Q采用MDD的Trenc

  MDD辰達半導(dǎo)體

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  05/20 10:21

  半導(dǎo)體 MOSFET
• 元器件交易動態(tài)周報-本土汽車、消費電子的強勁表現(xiàn)帶動功率器件需求上升

  核心觀點： 2025年4月，中國汽車產(chǎn)銷增長強勁，推動功率器件需求提升，尤其車規(guī)級半導(dǎo)體國產(chǎn)化空間大。二季度消費電子旺季，且國補政策影響下，需求穩(wěn)定。交貨周期方面，主流廠商的低壓與高壓Mosfets、IGBTs交貨周期多呈上升態(tài)勢，行業(yè)供應(yīng)偏緊。價格上，二極管價格微增，Mosfets價格下降，但整體行業(yè)呈現(xiàn)量增價穩(wěn)趨勢。 三大維度解讀功率器件最新供需動態(tài)： 市場需求分析 圖 | 二極管四方維商品動

  史德志

  2278

  05/19 10:00

  二極管 MOSFET

  

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