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MOS管

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PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。

PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。收起

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  • 共柵極架構(gòu)LNA
    在分析共柵極架構(gòu)(CG)的LNA前，需要先回顧一下共柵架構(gòu)MOS管的輸入阻抗，輸出阻抗和電壓增益的推導過程。 具體可以看MOS管的三種基本電路。 共柵拓撲結(jié)構(gòu)的電壓增益，輸入電阻和輸出電阻的推導如下圖。 如果考慮溝道調(diào)制效應，則又變成： 從上述推導，可以知道，共柵架構(gòu)的輸入阻抗很小，這使得其很容易達到50ohm。 不過，RD一方面為偏置電阻，另一方面又是增益的一部分；而作為增益的一部分，希望它越大
  • N管15V10場效應管 電源點煙器/磁吸燈NMOS管HC070N10L 100V15A
    產(chǎn)品優(yōu)勢： 強勁功率處理： 額定 100V 漏源電壓 (Vds) 和 15A 連續(xù)漏極電流 (Id)，應對中小功率開關電源、電機驅(qū)動、負載開關等應用。 低壓高效驅(qū)動： 專為 5V邏輯電平 優(yōu)化設計！Vgs(th)低，增強型，在 Vgs=4.5V 時即呈現(xiàn) 低的導通電阻 (Rds(on))。這意味著： 可直接由單片機、邏輯電路（3.3V/5V系統(tǒng)）高效驅(qū)動，無需復雜電平轉(zhuǎn)換。顯著降低導通損耗，提升系統(tǒng)效率，減少發(fā)熱。 可靠性： 100% 雪崩測試 (UIS
  • 南芯科技推出內(nèi)置MOS管的高集成度升降壓充電芯片
    南芯科技（證券代碼：688484）宣布推出全集成同步雙向升降壓充電芯片 SC8911，該芯片配備 I2C 接口，專為常見的 2 串電池 30W 充電寶應用進行了效率優(yōu)化，可有效降低外殼溫升，為用戶提供更安全、更高效的充電體驗。SC8911 可支持 OTG 反向升壓功能，兼容涓流充電、預充電、恒流充電、恒壓充電、自動終止等多種模式，助力客戶實現(xiàn)更高的效率、更低的 BOM 成本和更小的 BOM 尺寸。
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  • 從焊接虛焊到靜電擊穿：MDDMOS管安裝環(huán)節(jié)的問題
    在電子制造中，MDDMOS管的安裝環(huán)節(jié)暗藏諸多風險。某智能手表產(chǎn)線因焊接虛焊導致30%的MOS管失效，返工成本超百萬。本文MDD通過典型故障案例，剖析安裝過程中的五大核心問題，并提供系統(tǒng)性解決方案。 一、焊接虛焊：IMC層的致命缺陷 案例：某無人機電調(diào)批量出現(xiàn)MOS管功能異常，X射線檢測顯示焊點空洞率達25%。 機理分析： 焊接溫度曲線偏差（峰值溫度未達235℃），導致錫膏與銅層間未形成均勻的IM
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  • 驅(qū)動電路設計踩坑錄：MDDMOS管開關異常的診斷與修復
    在電力電子系統(tǒng)中，MDDMOS管的開關異常往往導致效率驟降、EMI超標甚至器件損毀。某新能源汽車OBC模塊因驅(qū)動波形振蕩引發(fā)MOS管過熱，導致整機返修率高達15%。本文結(jié)合典型故障案例，剖析驅(qū)動電路設計中的四大關鍵陷阱，并提供系統(tǒng)性解決方案。 一、柵極振蕩：探針引發(fā)的“假故障” 故障現(xiàn)象： 某變頻器驅(qū)動波形實測時出現(xiàn)20MHz高頻振蕩，但上機后MOS管溫升異常。 根因分析： 傳統(tǒng)探針接地線過長（&
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