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HBM4

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  • 研報 | HBM4新規(guī)格拉高制造門檻，預期溢價幅度逾30%
    根據TrendForce集邦咨詢最新研究，HBM技術發(fā)展受AI Server需求帶動，三大原廠積極推進HBM4產品進度。由于HBM4的I/O（輸入/輸出接口）數增加，復雜的芯片設計使得晶圓面積增加，且部分供應商產品改采邏輯芯片架構以提高性能，皆推升了成本。鑒于HBM3e剛推出時的溢價比例約為20%，預計制造難度更高的HBM4溢價幅度將突破30%。
    研報 | HBM4新規(guī)格拉高制造門檻，預期溢價幅度逾30%
  • 三星1c DRAM大擴產，加速HBM4量產
    據悉，三星電子繼平澤工廠之后，已制定計劃在華城工廠建設1c DRAM（第6代10nm級DRAM）量產線。預計該項投資最早將于今年年底完成，此舉被解讀為反映了公司內部對提高收益率的信心。
    三星1c DRAM大擴產，加速HBM4量產
  • 遙遙領先 SK海力士首次公開HBM4 帶寬高達2TB/s
    近期，SK海力士在TSMC 2025北美技術研討會上展示HBM4 12Hi、HBM3E 16Hi?2款產品是其首次公開展示了其HBM4技術，是全球唯一一家展示HBM4技術的公司。
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    04/29 09:25
    遙遙領先 SK海力士首次公開HBM4 帶寬高達2TB/s
  • SK海力士官宣加速研發(fā)HBM4E
    SK Hynix?承諾及時供應?HBM4E?以及量產?HBM4 12?層，從而加速其在?HBM?市場的領先地位。SK海力士HBM（高帶寬存儲器）事業(yè)企劃副社長崔俊勇4月7日表示，“我們不僅將在今年量產12層HBM4（第6代HBM），還將適時供應（第7代）HBM4E，以進一步鞏固我們在HBM領域的領先地位”。
    SK海力士官宣加速研發(fā)HBM4E
  • 產業(yè)丨HBM4大戰(zhàn)
    AI數據中心所需的HBM和大容量eSSD等高附加值尖端內存產品的需求預計明年將持續(xù)強勁。該產品也是三星電子、SK海力士等國內企業(yè)主導的市場。在這種形勢下，HBM成為了一個重要的突破口，這也是三大巨頭加大在這方面投入的原因之一。
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    03/29 09:55
    產業(yè)丨HBM4大戰(zhàn)