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GaN功率器件

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  • 英諾賽科氮化鎵熱設計指導(1)
    核心技術(shù)優(yōu)勢/方案詳細規(guī)格/產(chǎn)品實體圖/PCB/方塊圖Datasheet/測試報告/Gerber/Schematics/User manual +一鍵獲取 隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，電子產(chǎn)品日益趨向于小型化、高頻高性能化，因此 PCB 上電子元器件的密度也越來越大，芯片的尺寸越來越小，電子設備工作的熱流密度也不斷增大。根據(jù)相關(guān)調(diào)查顯示，溫度、振動、濕度和灰塵等因素是電力電子產(chǎn)品失效的主要原因其中55
    英諾賽科氮化鎵熱設計指導(1)
  • 國產(chǎn)OBC采用GaN！可節(jié)省1500元
    11月25日，匯川聯(lián)合動力在官微宣布，他們正式推出了新一代6.6 kW GaN車載二合一電源產(chǎn)品，該產(chǎn)品將車載充電器與車載直流變換器集成，采用GaN功率器件，達到了業(yè)內(nèi)領先的96%充電效率和4.8 kW/L整機功率密度。
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  • 泰克先進半導體實驗室：量芯微1200V氮化鎵器件的突破性測試
    在泰克先進半導體開放實驗室，2024年8月份，我們有幸見證了量芯微（GaN Power）新一代1200V氮化鎵（GaN）功率器件的動態(tài)參數(shù)測試。量芯微作為全球首家成功流片并量產(chǎn)1200V氮化鎵功率器件的廠商，其最新產(chǎn)品在性能上的顯著提升，不僅展現(xiàn)了技術(shù)的進步，也為我們的客戶帶來了新的解決方案。 測試概覽 今年8月，我們收到了量芯微提供的新一代高壓氮化鎵器件，其額定工作條件提升至1200V/20A（
    泰克先進半導體實驗室：量芯微1200V氮化鎵器件的突破性測試
  • 這家上市公司介入GaN芯片制造
    近日，國內(nèi)將新增一個GaN功率芯片生產(chǎn)項目——8月8日，圓融光電科技股份有限公司發(fā)布公告稱，公司董事會已審議通過了關(guān)于GaN功率HEMT器件項目建設的議案。據(jù)悉，圓融科技與京皖智慧裝備研究院（馬鞍山）股份有限公司簽署了關(guān)于GaN功率HEMT器件工藝流片及相關(guān)服務的《項目合作協(xié)議》，未來將進一步推動落實。
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  • CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝
    無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于光學檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過充分驗證的 DFN 封裝，堅固可靠。 DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10
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