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EUV

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極紫外輻射（EUV）或高能紫外輻射是波長在124nm到10nm之間的電磁輻射，對應(yīng)光子能量為10eV到124eV。自然界中，日冕會產(chǎn)生EUV。人工EUV可由等離子源和同步輻射源得到。主要用途包括光電子譜，對日EUV成像望遠(yuǎn)鏡，光微影技術(shù)。 EUV是最易被空氣吸收的譜段，因此其傳輸環(huán)境需高度真空。

極紫外輻射（EUV）或高能紫外輻射是波長在124nm到10nm之間的電磁輻射，對應(yīng)光子能量為10eV到124eV。自然界中，日冕會產(chǎn)生EUV。人工EUV可由等離子源和同步輻射源得到。主要用途包括光電子譜，對日EUV成像望遠(yuǎn)鏡，光微影技術(shù)。 EUV是最易被空氣吸收的譜段，因此其傳輸環(huán)境需高度真空。收起

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  • ASML EUV光刻之路還能走多遠(yuǎn)？
    雖然近期臺積電高管表示，臺積電接下來的A16/A14制程都不會采用ASML售價高達4億美元的High NA EUV光刻機（具有0.5數(shù)值孔徑），但是英特爾則已經(jīng)決定在其下一代的Intel 14A制程上選擇采用High NA EUV光刻機進行量產(chǎn)。與此同時，為了解決為了的1nm以下制程的制造問題，ASML正在積極的研發(fā)具有0.75NA的Hyper NA EUV光刻機，這也意味著其將面臨更大的技術(shù)挑戰(zhàn)，要知道ASML花了約20年的時間才成功推動標(biāo)準(zhǔn)型EUV光刻機的規(guī)模商用。
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    06/17 09:35
    ASML EUV光刻之路還能走多遠(yuǎn)？
  • ASML發(fā)布2025年第一季度財報 | 凈銷售額77億歐元，凈利潤24億歐元
    阿斯麥（ASML）發(fā)布2025年第一季度財報。2025年第一季度，ASML實現(xiàn)凈銷售額77億歐元，毛利率為54%，凈利潤達24億歐元。第一季度的新增訂單金額為39億歐元2，其中12億歐元為EUV光刻機訂單。ASML預(yù)計2025年第二季度凈銷售額在72億至77億歐元之間，毛利率介于50%至53%3；對2025年展望保持不變，預(yù)計全年凈銷售額在300億至350億歐元之間，毛利率介于51%至53%。 (
    ASML發(fā)布2025年第一季度財報 | 凈銷售額77億歐元，凈利潤24億歐元
  • TEL談半導(dǎo)體設(shè)備廠商的增長點
    作為一家已經(jīng)有超過60年歷史的老牌半導(dǎo)體設(shè)備廠商，TOKYO ELECTRON（簡稱TEL）在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的市場地位毋庸置疑，援引2023年的全球市場份額數(shù)據(jù)，TEL主打的十大支柱產(chǎn)品中，涂膠顯影設(shè)備的市場占有率為90%（其中配合EUV的涂膠顯影設(shè)備達到100%的市占率），干法刻蝕設(shè)備的占有率為22%，成膜設(shè)備為31%（其中原子層沉積設(shè)備為16%，化學(xué)氣相沉積設(shè)備為40%，氧化擴散設(shè)備為40%）
    TEL談半導(dǎo)體設(shè)備廠商的增長點
  • EUV新局，巨頭們的攻守之道
    如今，人工智能芯片的需求正以指數(shù)級速度瘋漲，可高昂的成本和復(fù)雜的工藝，讓這項技術(shù)淪為少數(shù)公司的 “專屬”。不過，轉(zhuǎn)機或許很快就會出現(xiàn)。為了給五花八門的人工智能應(yīng)用 “撐腰”，對先進制程芯片的渴求一路狂飆，這給整個行業(yè)的供應(yīng)能力帶來了巨大壓力。不管是支撐大型語言模型的超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心，還是智能手機、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、自主系統(tǒng)里的邊緣人工智能，前沿半導(dǎo)體在各個應(yīng)用場景下的需求都在快速增長。但芯片制造嚴(yán)重依賴極紫外光刻（EUV）技術(shù)，該技術(shù)卻成為擴大生產(chǎn)規(guī)模的關(guān)鍵阻礙。
    EUV新局，巨頭們的攻守之道
  • 光刻工藝中g(shù)線、i線、DUV、EUV是什么意思？
    不同波長的光源各自對應(yīng)不同的技術(shù)節(jié)點和制造需求。從早期的 g線、i線到目前主流的 KrF、ArF 再到最尖端的 EUV，每一次升級都展現(xiàn)了更高分辨率和更先進的工藝水平。隨著對器件尺寸不斷逼近物理極限，EUV及其后續(xù)升級版本將持續(xù)發(fā)展。
    光刻工藝中g(shù)線、i線、DUV、EUV是什么意思？
  • ASML CEO談半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、EUV、中美技術(shù)差距、AI以及分享工作經(jīng)驗
    Christophe Fouquet，ASML現(xiàn)任CEO，一個極其通透的人，一個優(yōu)秀的技術(shù)公司領(lǐng)袖，一個看穿半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)律的行業(yè)專家。他說，謙遜是領(lǐng)導(dǎo)力第一要素；他說，當(dāng)你不再為證明自己而戰(zhàn)時，你就獲得了工作上的自由；他說，做決策時要冷靜，你可以根據(jù)自己的呼吸是否還平穩(wěn)來判定自己的情緒；他說現(xiàn)在的人們太聰明，很多人不知道活在當(dāng)下，enjoy your moment。
    ASML CEO談半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、EUV、中美技術(shù)差距、AI以及分享工作經(jīng)驗
  • ASML發(fā)布2024年全年財報 | 凈銷售額283億歐元，凈利潤76億歐元
    阿斯麥（ASML）發(fā)布2024年第四季度及全年財報。2024年第四季度，ASML實現(xiàn)凈銷售額93億歐元，毛利率為51.7%，凈利潤達27億歐元。2024年第四季度的新增訂單金額為71億歐元2，其中30億歐元為EUV光刻機訂單。2024年全年凈銷售額達283億歐元，毛利率為51.3%，凈利潤為76億歐元。ASML預(yù)計2025年第一季度凈銷售額在75億至80億歐元之間，毛利率介于52%至53%；202
    ASML發(fā)布2024年全年財報 | 凈銷售額283億歐元，凈利潤76億歐元
  • 2029年，半導(dǎo)體行業(yè)“奇點”來臨
    當(dāng)筆者在讀到美國發(fā)明家雷·庫茲韋爾（Ray Kurzweil）的著作《后人類》時，我意識到：“能力呈指數(shù)級提高的人工智能（AI）將在2045年惠及全人類。”
    2029年，半導(dǎo)體行業(yè)“奇點”來臨
  • EUV掩膜版清洗技術(shù)挑戰(zhàn)及解決方案
    EUV（極紫外光）掩膜版是現(xiàn)代半導(dǎo)體制造工藝中關(guān)鍵的元件之一，在集成電路的光刻過程中扮演著至關(guān)重要的角色。由于EUV技術(shù)的精密性和高要求，掩膜版的質(zhì)量直接影響到最終成品的良率。而在這些技術(shù)中，清洗掩膜版是一個不可忽視的環(huán)節(jié)。盡管EUV掩膜版的清洗步驟相較于硅片的清洗流程較少，但其面臨的挑戰(zhàn)卻異常復(fù)雜，主要體現(xiàn)在顆粒去除、材料損傷、污染控制等方面。
    EUV掩膜版清洗技術(shù)挑戰(zhàn)及解決方案
  • ASML在2024 年投資者日會議上就市場機遇提供最新看法有望在2030年內(nèi)實現(xiàn)營收和盈利的顯著增長
    在今日舉辦的2024 年投資者日會議上，ASML將更新其長期戰(zhàn)略以及全球市場和技術(shù)趨勢分析，確認(rèn)其到2030年的年收入將達到約440 億至 600 億歐元，毛利率約為56%至 60%。 ASML總裁兼首席執(zhí)行官傅恪禮（Christophe Fouquet）表示：“我們預(yù)計，在下一個十年我們有能力將EUV技術(shù)推向更高水平，并擴展廣泛適用的全景光刻產(chǎn)品組合，使 ASML 能夠充分參與和抓住人工智能機遇
  • ASML：EUV技術(shù)領(lǐng)域不會面臨中國公司的競爭！
    6月6日消息，ASML首席財務(wù)官Roger Dassen近日在 Jefferies證券主持的投資者電話會議上表示，ASML與臺積電的商業(yè)談判即將結(jié)束，預(yù)計在第二季度或第三季度開始獲得“大量” 2nm芯片制造相關(guān)設(shè)備訂單。同時，Jefferies報告稱臺積電已經(jīng)訂購了High NA EUV光刻機。
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    2024/06/07
    ASML：EUV技術(shù)領(lǐng)域不會面臨中國公司的競爭！
  • EUV光刻機“忙瘋了”
    據(jù)市場消息，目前，ASML High NA EUV光刻機僅有兩臺，如此限量版的EUV關(guān)鍵設(shè)備必然無法滿足市場對先進制程芯片的需求，為此ASML布局步伐又邁一步。
    EUV光刻機“忙瘋了”
  • EUV光刻機變數(shù)陡增
    最近，關(guān)于EUV光刻機，又有勁爆消息傳出。據(jù)外媒報道，有消息人士透露，由于美國施壓，ASML向荷蘭政府官員保證，在特殊情況下，該公司有能力遠(yuǎn)程癱瘓（remotely disable）臺積電使用的EUV光刻機。知情人士稱，ASML擁有“鎖死開關(guān)”（kill switch），可以遠(yuǎn)端強制關(guān)閉EUV。
    EUV光刻機變數(shù)陡增
  • 英特爾在可擴展硅基量子處理器領(lǐng)域取得突破，向量子實用性更進一步
    英特爾在《自然》雜志發(fā)表題為《檢測300毫米自旋量子比特晶圓上的單電子器件》的研究論文，展示了領(lǐng)先的自旋量子比特均勻性、保真度和測量數(shù)據(jù)。這項研究為硅基量子處理器的量產(chǎn)和持續(xù)擴展（構(gòu)建容錯量子計算機的必要條件）奠定了基礎(chǔ)。 英特爾打造的300毫米自旋量子比特晶圓 英特爾的量子硬件研究人員開發(fā)了一種300毫米低溫檢測工藝，使用互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）制造技術(shù)，在整個晶圓上收集有關(guān)自旋量子比特
    英特爾在可擴展硅基量子處理器領(lǐng)域取得突破，向量子實用性更進一步
  • 高NA EUV迎來制程的岔路口
    半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)正努力爭取進入所謂的“埃時代”（Angstrom era）。在所謂的3nm工藝節(jié)點附近的節(jié)點上，以“?！倍皇且浴凹{米”來命名技術(shù)節(jié)點成為了一種時尚，因此不是1.5nm，而是15埃。正是在這一點上，對晶圓上更精細(xì)圖案的要求超出了當(dāng)今EUV光刻系統(tǒng)和程序的能力。
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    2024/04/23
    高NA EUV迎來制程的岔路口
  • 美國，為什么愛盯著荷蘭的光刻機？
    全球光刻機巨頭ASML（阿斯麥）的新年開篇頗有些鬧心。新年首日，ASML發(fā)布公告稱，荷蘭政府最近吊銷部分了2023年發(fā)貨的NXT:2050i和NXT:2100i光刻系統(tǒng)的許可證，影響了少數(shù)中國客戶。吊銷舉措比荷蘭出口管制新規(guī)原定生效的日期提前了數(shù)星期。當(dāng)然，這背后少不了美國政府的施壓?！霸诿绹莸钦囊笙隆保聿┥缛绱诵稳莸?。
    美國，為什么愛盯著荷蘭的光刻機？
  • 為了阻擊臺積電和日本半導(dǎo)體，韓國也是拼了
    12月中旬，韓國總統(tǒng)尹錫悅與荷蘭首相馬克·呂特發(fā)表聯(lián)合聲明，雙方構(gòu)建“半導(dǎo)體同盟”。雙方一致認(rèn)為，兩國在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中有著特殊的互補關(guān)系，并重申構(gòu)建覆蓋政府、企業(yè)、高校的半導(dǎo)體同盟的決心。為此，雙方商定新設(shè)經(jīng)貿(mào)部門之間的半導(dǎo)體對話協(xié)商機制，同時推進半導(dǎo)體專業(yè)人才培養(yǎng)項目。
    為了阻擊臺積電和日本半導(dǎo)體，韓國也是拼了
  • 英特爾宣布Intel 4已大規(guī)模量產(chǎn)，“四年五個制程節(jié)點”計劃又進一步
    近日，英特爾宣布已開始采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)（HVM）Intel 4制程節(jié)點。Intel 4大規(guī)模量產(chǎn)的如期實現(xiàn)，再次證明了英特爾正以強大的執(zhí)行力推進“四年五個制程節(jié)點”計劃，并將其應(yīng)用于新一代的領(lǐng)先產(chǎn)品，滿足AI推動下“芯經(jīng)濟”指數(shù)級增長的算力需求。
    英特爾宣布Intel 4已大規(guī)模量產(chǎn)，“四年五個制程節(jié)點”計劃又進一步
  • 美國官方報告：深度解析EUV光刻的現(xiàn)狀、需求和發(fā)展
    2022年，半導(dǎo)體市場規(guī)模約為0.6萬億美元，商業(yè)分析師預(yù)計到2030年將翻一番1.0萬億美元至1.3萬億美元。半導(dǎo)體制造業(yè)的大幅增長可以在光刻工藝中體現(xiàn)出。光刻是一種圖案化過程，將平面設(shè)計轉(zhuǎn)移到晶圓基板的表面，創(chuàng)造復(fù)雜的結(jié)構(gòu)，如晶體管和線互連。這是通過通過復(fù)雜的多步過程選擇性地將光敏聚合物或光刻膠暴露于特定波長的光下來完成的。最近，光刻技術(shù)的進步在生產(chǎn)最先進的半導(dǎo)體方面創(chuàng)造了競爭優(yōu)勢，使人工智能（AI）、5G電信和超級計算等最先進的技術(shù)成為可能。因此，先進的半導(dǎo)體技術(shù)會影響國家安全和經(jīng)濟繁榮。
    美國官方報告：深度解析EUV光刻的現(xiàn)狀、需求和發(fā)展
  • 深度丨當(dāng)EUV薄膜成為“高精尖”芯片良率的關(guān)鍵
    近20年來，EUV光源、EUV掩模和EUV光刻膠一直是EUV光刻的三大技術(shù)挑戰(zhàn)。近幾年來，隨著EUV光源的不斷進展，EUV掩模開始位居三大技術(shù)挑戰(zhàn)之首，而EUV掩模最困難的環(huán)節(jié)之一就是EUV薄膜。
    深度丨當(dāng)EUV薄膜成為“高精尖”芯片良率的關(guān)鍵

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