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英諾賽科

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英諾賽科是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全產(chǎn)業(yè)鏈模式，建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產(chǎn)線。

英諾賽科是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全產(chǎn)業(yè)鏈模式，建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產(chǎn)線。 收起

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  • 英諾賽科獲巨頭力挺，牛大了！
    全球氮化鎵龍頭英諾賽科發(fā)布了一則引人矚目的公告，公司最大基石投資者、國際半導(dǎo)體巨頭意法半導(dǎo)體自愿延長禁售期，將原本2025年6月29日到期的禁售期延長至2026年6月29日 。這一舉動(dòng)不僅是意法半導(dǎo)體對(duì)英諾賽科長期價(jià)值的高度認(rèn)可，凸顯了產(chǎn)業(yè)資本對(duì)氮化鎵領(lǐng)域前景的堅(jiān)定信心。
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    18小時(shí)前
  • 長城為何聯(lián)手英諾賽科？解密背后的GaN技術(shù)創(chuàng)新
    4月9日，英諾賽科宣布，長城電源面向AI數(shù)據(jù)中心的鈦金級(jí)電源中，采用了其先進(jìn)的氮化鎵（InnoGaN）技術(shù)。這一創(chuàng)新之舉，使得電源的轉(zhuǎn)換效率突破96%大關(guān)，輕松超越全球最高80PLUS鈦金級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，為行業(yè)樹立了新的技術(shù)標(biāo)桿。
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  • 英諾賽科/英飛凌GaN創(chuàng)新：1200V；集成二極管
    4月14日，英諾賽科（02577）發(fā)布公告，宣布自主開發(fā)的1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)介紹，該產(chǎn)品憑借其寬禁帶特性，在高壓高頻場(chǎng)景中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)，具備零反向恢復(fù)電荷的核心優(yōu)勢(shì)，有助于進(jìn)一步推動(dòng)能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提升和小型化，可廣泛應(yīng)用于新能源車、工業(yè)及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。
  • 重磅！意法半導(dǎo)體、英諾賽科達(dá)成GaN合作
    “電動(dòng)交通&數(shù)字能源SiC技術(shù)應(yīng)用及供應(yīng)鏈升級(jí)大會(huì)”活
    重磅！意法半導(dǎo)體、英諾賽科達(dá)成GaN合作
  • 意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議
    服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 （STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科（香港聯(lián)合交易所股票代碼:02577.HK），共同宣布簽署了一項(xiàng)氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議。雙方將充分發(fā)揮各自優(yōu)勢(shì)，提升氮化鎵功率解決方案的競(jìng)爭(zhēng)力和供應(yīng)鏈韌性。 根據(jù)協(xié)議，雙方將合作推進(jìn)氮化
    意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議