• Nexperia推出車規(guī)級平面肖特基二極管，采用節(jié)省空間的CFP2-HP封裝

  Nexperia宣布推出采用CFP2-HP封裝的全新產(chǎn)品組合，包含16款優(yōu)化低VF平面肖特基二極管。新產(chǎn)品組合包含八款工業(yè)級產(chǎn)品（例如PMEG6010EXD）和八款通過AEC-Q101認證的產(chǎn)品（例如PMEG4010EXD-Q）。本次產(chǎn)品發(fā)布是為了支持制造商用更小尺寸的CFP封裝器件取代SMA/B/C型封裝器件的發(fā)展趨勢，特別是在汽車應用中。新推出的二極管適用于諸如DC-DC轉(zhuǎn)換、續(xù)流、防反保護、

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  05/07 20:17

  微控制器 Nexperia

  
• 英飛凌推出全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用GaN晶體管產(chǎn)品系列

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolGaN? G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業(yè)用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產(chǎn)品系列通過減少不必要的死區(qū)損耗提高功率系統(tǒng)的性能，進一步提升整體系統(tǒng)效率。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設計，降低了用料成本。 集成肖特基二極管的CoolGaN? G5晶體管 在硬開關應用中，由于GaN器件的有效體二極

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  04/22 13:12

  英飛凌 肖特基二極管

  
• 肖特基二極管vs.超快恢復二極管：哪種MDD高效率整流管更適合你的應用？

  在電源設計中，MDD高效率整流管對轉(zhuǎn)換效率、功率損耗和系統(tǒng)穩(wěn)定性起著關鍵作用。常見的MDD高效整流管主要包括肖特基二極管和超快恢復二極管。它們在工作原理、性能參數(shù)及適用場景上各有優(yōu)劣，如何選擇合適的器件成為工程師的重要決策點。 1.工作原理對比 ?肖特基二極管（Schottky Diode） 采用金屬-半導體結(jié)（MS結(jié)）結(jié)構(gòu)，載流子為多數(shù)載流子（電子）。 具有低正向壓降（VF）和幾乎無反向恢復時間

  MDD辰達半導體

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  04/01 07:44

  肖特基二極管 整流管

  
• 英飛凌推出CoolSiC肖特基二極管2000 V的TO-247-2封裝， 在提升效率的同時簡化設計

  目前，許多工業(yè)應用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發(fā)展，實現(xiàn)這一目標的方法之一是提高直流母線電壓。針對這一市場趨勢，全球功率系統(tǒng)和領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于 2024年9月推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5產(chǎn)品系列，這是首款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅二極管分立器件。該產(chǎn)品系列目前擴展到TO-247-2

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  03/17 08:34

  封裝 柵極驅(qū)動器

  
• Vishay推出多款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的650 V和1200 V SiC肖特基二極管

  40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V，QC僅為56 nC 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出16款采用工業(yè)標準SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。這些Vishay半導體器件旨在為高頻應用提供高速和高效率，在同類二極管中，它們在電容電荷（Qc）和正向壓

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  02/27 08:15

  SiC Vishay

  
• 不同二極管的壓降是多少？

  不同類型的二極管具有不同的壓降特性，以下是一些常見二極管類型的壓降范圍： 硅二極管：硅二極管是最常見的二極管類型，其正向壓降一般在0.6V到0.7V之間。這一范圍是由于硅的帶隙約為1.1eV，電子和空穴的重組需要一定的能量。 鍺二極管：鍺二極管的正向壓降相對較低，通常在0.2V到0.3V之間。鍺的帶隙約為0.66eV，使得載流子在P-N結(jié)中更容易復合，從而降低了正向壓降。然而，由于鍺的熱穩(wěn)定性較差

  無錫迪仕科技

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  2024/12/05

  二極管 肖特基二極管
• 采用自主設計封裝，絕緣電阻顯著提高！

  與普通產(chǎn)品相比，可確保約1.3倍的爬電距離。即使是表貼型也無需進行樹脂灌封絕緣處理~ 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出引腳間爬電距離*1更長、絕緣電阻更高的表面貼裝型SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）。目前產(chǎn)品陣容中已經(jīng)擁有適用于車載充電器（OBC）等車載設備應用的“SCS2xxxNHR”8款機型。計劃2024年12月再發(fā)售8款適用于FA設備和光伏逆變器等工業(yè)設備

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  2024/11/12

  ROHM 肖特基二極管

  
• 英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V

  如今，許多工業(yè)應用可以通過提高直流母線電壓，在力求功率損耗最低的同時，向更高的功率水平過渡。為滿足這一需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5，這是市面上首款擊穿電壓達到2000 V的分立碳化硅二極管。該產(chǎn)品系列適用于直流鏈路電壓高達1500 VDC的應用，額定電流為10

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  2024/10/23

  英飛凌 MOSFET

  
• ??Nexperia擴展功率器件產(chǎn)品組合，新增標準和車規(guī)級理想二極管?

  ??Nexperia宣布為其持續(xù)擴展的功率器件產(chǎn)品組合新增兩款理想二極管IC。其中，NID5100適用于標準工業(yè)和消費應用，而NID5100-Q100已獲得認證，可用于汽車應用。這兩款理想二極管均以MOSFET為基礎，擁有比傳統(tǒng)二極管更低的正向壓降，非常適合用來替換系統(tǒng)中的標準二極管，進而滿足相關的超高能效要求。 ? ??NID5100和NID5100-Q100理想二極管采用小型TSSP6/SOT

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  2024/09/04

  傳感器 MOSFET

  
• 大聯(lián)大世平集團推出基于onsemi、Vishay和Toshiba產(chǎn)品的30W反激式輔助電源方案

  致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCP1239BD65R2G PWM控制器的30W反激式輔助電源方案。 圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi、Vishay和Toshiba產(chǎn)品的30W反激式輔助電源方案的展示板圖 在信息技術(shù)時代，人們對于高效、穩(wěn)定且具備出色節(jié)能特性的輔助電源需求日益增加。特別是在服務器、PC、新能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)以

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  2024/06/11

  大聯(lián)大 肖特基二極管

  
• 意法半導體公布了新系列100V溝槽肖特基整流二極管以提高效率和功率密度

  隨著低開關損耗的寬禁帶半導體等技術(shù)的廣泛應用，設計人員開始提高功率轉(zhuǎn)換器的工作頻率，不斷刷新功率密度。不過，當開關頻率變得更高時，用作整流器的傳統(tǒng)平面二極管(包括硅肖特基器件)的能量損耗也會隨之變大，嚴重限制了轉(zhuǎn)換能效的改進。

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  2024/04/02

  肖特基二極管 整流二極管

  
• 英飛凌與威邁斯加強合作，為電動汽車提供節(jié)能經(jīng)濟的快速充電服務

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的新型CoolSiC?混合分立器件采用 TRENCHSTOP? 5 快速開關 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二極管。中國領先的新能源汽車功率電子和電機驅(qū)動器制造商深圳威邁斯新能源股份有限公司（VMAX）將這款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC車載充電器。英飛凌的元件采用 D2PAK 封裝，將超高速 TRENC

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  2024/03/04

  電動汽車 英飛凌

  
• DZ1026零偏置肖特基二極管探測器HEROTEK

  零偏置肖特基二極管檢波器是種為毫米波通信和亞毫米波功率控制的元器件，能夠有效對微波射頻至太赫茲波范圍之內(nèi)電磁波輻射實時監(jiān)測和混頻。HEROTEK零偏置肖特基二極管檢波器不需要偏置電流也能夠作業(yè)，DZ1026廣泛應用于待機或監(jiān)控情況下無主電源(DC電源)通用型RFID和其它技術(shù)應用。

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  2023/10/16

  二極管 肖特基二極管
• DHM265AAP高靈敏度零偏置肖特基二極管探測器HEROTEK

  肖特基二極管是金屬半導體器件構(gòu)造的半導體二極管，具備正向電流低、開關速率快等優(yōu)點。與同類產(chǎn)品應用中的接觸力二極管相對比，HEROTEK?DHM265AAP零偏壓肖特基二極管探測器具備更寬廣的動態(tài)范圍、更高的耐高溫穩(wěn)定性和更精密的平方律性能。DHM265AAP零偏置肖特基二極管探測器不止可廣泛用于高精密檢測設備、接收器、開關電源電路、信號檢測和導彈制導技術(shù)，還能做為微波功率探測器。

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  2023/08/29

  二極管 肖特基二極管
• 通過智能節(jié)點的遠程運動控制促進實現(xiàn)可靠的自動化

  摘要 工業(yè)4.0為遠距離實現(xiàn)邊緣智能帶來了曙光，而10BASE-T1L以太網(wǎng)的數(shù)據(jù)線供電(PoDL)功能、高數(shù)據(jù)傳輸速率以及與以太網(wǎng)協(xié)議兼容也為未來發(fā)展鋪平了道路。本文介紹如何在自動化和工業(yè)場景中集成新的10BASE-T1L以太網(wǎng)物理層標準，將控制器和用戶界面與端點（例如多個傳感器和執(zhí)行器）連接起來，所有器件均使用標準以太網(wǎng)接口進行雙向通信。 簡介 10BASE-T1L是針對工業(yè)連接的物理層標準。

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  2023/07/06

  MOSFET 工業(yè)4.0

  
• Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二極管，提升開關電源設計能效和可靠性

  器件采用MPS結(jié)構(gòu)設計，額定電流4 A~ 40 A，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）結(jié)構(gòu)設計，具有高浪涌電流保護能力，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低

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  2023/05/23

  開關電源 二極管

  
• Nexperia針對要求嚴苛的電源轉(zhuǎn)換應用推出先進的650 V碳化硅二極管

  基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用。10 A、650 V SiC肖特基二極管滿足工業(yè)級器件標準，可應對高電壓和高電流應用帶來的挑戰(zhàn)，包括開關模式電源、AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池充電基礎設施、不間斷電源和光伏逆變器，并提高持續(xù)運行性能。例如，相比僅使用硅基解決方案的數(shù)據(jù)中心，配

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  2023/04/20

  半導體 二極管
• 安森美的EliteSiC碳化硅系列方案帶來領先業(yè)界的高能效

  領先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎設施和工業(yè)驅(qū)動應用提供可靠、高能效的性能，并

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  2023/01/04

  安森美 國際消費電子展（CES）
• 羅姆發(fā)布肖特基二極管白皮書， 助力汽車、工業(yè)和消費電子設備實現(xiàn)小型化和更低損耗！

  近年來，隨著電動汽車的加速以及物聯(lián)網(wǎng)在工業(yè)設備、消費電子設備領域的普及，應用產(chǎn)品中搭載的半導體數(shù)量也與日俱增。

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  2022/11/03

  電動汽車 二極管
• Qorvo?收購領先的碳化硅功率半導體供應商UnitedSiC公司

  移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領先供應商Qorvo?,Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今天宣布，已收購位于新澤西州普林斯頓領先碳化硅（SiC）功率半導體供應商UnitedSiC公司。

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  2021/11/04

  Qorvo SiC

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