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電源設(shè)計

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電路方案

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設(shè)計資料

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  • 突破光耦合的溫度限制 ，實現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計
    對于電氣隔離電源，您必須確定電氣隔離控制器IC在初級或次級的哪一端將會導(dǎo)通，如果它位于次級端，則必須通過電氣隔離提供對初級端電源開關(guān)的控制。 一般而言，無論是初級端的控制器還是次級端的控制器，在兩種架構(gòu)中都需要可越過電氣隔離進行信號傳輸?shù)穆窂?，通常為光耦合?或光隔離器)。然而，它們會帶來一些不利因素：它們的額定溫度通常僅為85°C，電流傳輸比(CTR)隨時間而改變，這意味著它們的傳輸行為在電路使
  • LDO的重要特性Brick-Wall Current Limiting有什么用？
    Part 01 前言 LDO在設(shè)計電源時很常用，說到電源，就必然要考慮的一個問題就是過流保護，過流保護是LDO電路設(shè)計中繞不過的“硬核”問題。LDO通過調(diào)節(jié)輸出電壓，確保負載在不同電流需求下穩(wěn)定工作。但當負載電流超出設(shè)計范圍，如短路或過載，過大的電流可能導(dǎo)致芯片過熱甚至損壞。為此，過流保護機制應(yīng)運而生，旨在限制輸出電流，保護LDO及其負載。LDO有兩種典型的過流保護機制：磚墻限流Brick-Wal
    LDO的重要特性Brick-Wall Current Limiting有什么用？
  • 別再瞎畫了！電源布局布線圖解版，實用干貨全在這！
    電源設(shè)計，是PCB設(shè)計中最核心、也最容易翻車的模塊之一。今天這篇文章，就結(jié)合圖文，帶你完整拆解?開關(guān)電源與LDO線性穩(wěn)壓器的PCB設(shè)計技巧，從布局到鋪銅，從GND處理到過孔安排，全流程講透！
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  • 借助高集成度 TOLL 封裝 GaN 器件推動電源設(shè)計創(chuàng)新
    當今的電源設(shè)計要求高效率和高功率密度。因此，設(shè)計人員將氮化鎵 (GaN) 器件用于各種電源轉(zhuǎn)換拓撲。 GaN 可實現(xiàn)高頻開關(guān)，這樣可減小無源器件的尺寸，從而增加密度。與硅和碳化硅 (SiC) 之類的技術(shù)相比，GaN 還可降低開關(guān)、柵極驅(qū)動和反向恢復(fù)損耗，從而提高電源設(shè)計效率。 您可以使用 650V GaN FET 進行 AC/DC 至 DC/DC 轉(zhuǎn)換，或使用 100V 或 200V GaN FE
    借助高集成度 TOLL 封裝 GaN 器件推動電源設(shè)計創(chuàng)新
  • V821 硬件設(shè)計指南
    文檔簡介? 本文檔主要介紹V821芯片在IPC/門鎖應(yīng)用方案設(shè)計中的原理圖和PCB設(shè)計要點以及細則，旨在指導(dǎo)客戶設(shè)計，提高產(chǎn)品設(shè)計的可靠性以及降低產(chǎn)品的設(shè)計成本，保證設(shè)計質(zhì)量，幫助客戶縮短產(chǎn)品量產(chǎn)周期。同時請使用全志科技發(fā)布的核心模塊的模板，保證產(chǎn)品的性能和可靠性。 原理圖設(shè)計? 方案概述? V821芯片介紹? V821是一顆面向智能視覺領(lǐng)域推出的新一代高性能、低功耗的處理器SoC，可廣泛用于電池