• MOSFET關(guān)斷過(guò)程中的開(kāi)關(guān)損耗如何計(jì)算？800字手把手教你搞定這個(gè)電路知識(shí)點(diǎn)

  上一篇文章我們介紹了MOSFET導(dǎo)通過(guò)程中的開(kāi)關(guān)損耗的計(jì)算方法，接下來(lái)就講一下MOSFET在關(guān)斷過(guò)程中的交叉損耗計(jì)算，主要是要估算關(guān)斷時(shí)的交叉時(shí)間，然后算出功耗。

  硬件那點(diǎn)事兒

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  04/26 10:25

  MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗

  
• MOSFET導(dǎo)通過(guò)程中的開(kāi)關(guān)損耗如何計(jì)算？1200字手把手教你搞定這個(gè)電路知識(shí)點(diǎn)

  MOSFET導(dǎo)通過(guò)程中的開(kāi)關(guān)損耗這部分內(nèi)容是關(guān)于MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的交叉損耗Cross Loss計(jì)算，主要涉及導(dǎo)通時(shí)間的估算和功耗分析。公式是什么？如何計(jì)算呢？設(shè)計(jì)中又有哪些需要注意的地方？接下來(lái)就把它通俗易懂地講一下。以下分析基于MOSFET驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載哦，如果是驅(qū)動(dòng)阻性負(fù)載，算法是不一樣的，大家注意！

  硬件那點(diǎn)事兒

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  04/21 10:25

  MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗

  
• 開(kāi)關(guān)損耗

  開(kāi)關(guān)損耗是指在電力電子開(kāi)關(guān)器件（如MOSFET、IGBT）中，由于電路開(kāi)關(guān)動(dòng)作引起的能量損耗。開(kāi)關(guān)損耗是電力電子裝置效率低下的主要原因，因此如何有效減小開(kāi)關(guān)損耗一直是電力電子領(lǐng)域研究的重點(diǎn)。

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  2023/05/11

  開(kāi)關(guān)損耗
• 開(kāi)關(guān)電源的主要損耗有哪些 導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗的關(guān)系

  開(kāi)關(guān)電源是一種高效率、可靠性較高的電源，但在實(shí)際使用中仍然存在一定的損耗。

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  2023/04/18

  開(kāi)關(guān)電源 開(kāi)關(guān)損耗

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