• 《國有企業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型成熟度評(píng)估模型》在全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)大會(huì)發(fā)布|中科通量參編

  7月4日,中科通量參編的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)《國有企業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型成熟度評(píng)估模型》(T/ZDEA 016-2023)于全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)大會(huì)第三次全國企業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型高層論壇中發(fā)布了階段性研究成果。 該標(biāo)準(zhǔn)由北京銀行、北控?cái)?shù)科、湖北數(shù)產(chǎn)集團(tuán)等單位牽頭,華為、中國電信、國家管網(wǎng)集團(tuán)、京投公司、首開集團(tuán)、中科通量等30余家優(yōu)秀企業(yè)共同起草。從國有企業(yè)的治理體系建設(shè)、基礎(chǔ)資源投入、數(shù)字化綜合管控、數(shù)字化安全運(yùn)營、數(shù)字化轉(zhuǎn)型成

  電子科技世界

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  2024/07/05

  存儲(chǔ)設(shè)備
• 彌費(fèi)科技正式啟用臨港生產(chǎn)基地暨全球研發(fā)中心

  /美通社/ -- 12月26日，彌費(fèi)科技（上海）股份有限公司（以下簡稱"彌費(fèi)科技"）在上海臨港新片區(qū)舉辦"彌費(fèi)科技臨港生產(chǎn)基地暨全球研發(fā)中心啟用儀式"。彌費(fèi)科技專注于AMHS的研發(fā)、生產(chǎn)與制造，臨港工廠作為彌費(fèi)科技AMHS項(xiàng)目研發(fā)和生產(chǎn)總基地，占地面積約8000平米，其中建設(shè)了2000平米的以天車為核心的潔凈室AMHS整體解決方案標(biāo)準(zhǔn)化示范線。 彌費(fèi)科技董事長、CEO繆峰表示："彌費(fèi)科技立志成為具

  美通社

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  2024/01/05

  半導(dǎo)體設(shè)備 美通社

  
• 羅德與施瓦茨推出首個(gè)自動(dòng)化解決方案—加速PCIe 5.0與6.0線纜和連接器合規(guī)性測試

  羅德與施瓦茨公司（以下簡稱"R&S公司"）開發(fā)了全新的R&S ZNrun自動(dòng)化測試。對(duì)于完全自動(dòng)化驗(yàn)證PCIe x8線纜，軟件可以控制一個(gè)由R&S ZNB矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀和可擴(kuò)展的R&S OSP開關(guān)矩陣組成的測試配置，創(chuàng)建一個(gè)具有64個(gè)測試端口的多端口VNA解決方案。該解決方案將PCIe x8線纜的測試時(shí)間縮短到僅幾分鐘，包括所有Thru連接、所有串?dāng)_組合測試以及相應(yīng)

  與非網(wǎng)編輯

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  2023/07/12

  羅德與施瓦茨 PCIe 5.0

  
• Swissbit推出存儲(chǔ)設(shè)備管理工具

  Swissbit Device Manager (SBDM) 是總部位于瑞士的存儲(chǔ)和安全專家 Swissbit 用于管理存儲(chǔ)設(shè)備的軟件工具。最新版本的 SBDM 使客戶能夠進(jìn)行固件更新，同時(shí)還提供 Swissbit 存儲(chǔ)解決方案生命周期狀態(tài)的全面數(shù)據(jù)和分析。因此，該軟件能夠?yàn)槟壳疤幱谠O(shè)計(jì)階段的 Swissbit 客戶提供廣泛的測試選項(xiàng)和極高的定制靈活性。該軟件用戶界面友好，能顯示所有捕獲的數(shù)據(jù)，是

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  2023/05/25

  NAND 閃存

  
• NEMA 5-15R插座配備IDC端子

  SCHURTER (碩特) 最新的NR020和NR021電源輸出插座系列將傳統(tǒng)功能與最新功能結(jié)合起來，以滿足UL498防誤插標(biāo)準(zhǔn)中提高了的防火和安全要求，并根據(jù) UL 962和UL 962A 促進(jìn)家用和商用家具以及家具配電裝置的插座合規(guī)。

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  2022/01/25

  DC/DC轉(zhuǎn)換器 IDC
• Advanced Energy 的48V開放式機(jī)架電源可為數(shù)據(jù)中心節(jié)省能耗，并確保操作互通以及系統(tǒng)更穩(wěn)定

  配備熱插拔功能及采用交流電冗余設(shè)計(jì)的2U電源內(nèi)置自動(dòng)切換開關(guān) (ATS)，可輸出高達(dá)36kW功率，效率則達(dá)97%

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  2021/11/05

  數(shù)據(jù)中心 存儲(chǔ)設(shè)備
• 科研前線 | 長江存儲(chǔ)研究3D閃存TRE機(jī)理研究獲突破

  暫時(shí)性讀取錯(cuò)誤TRE是影響3D NAND存儲(chǔ)設(shè)備QoS的錯(cuò)誤之一，降低TRE對(duì)于提升存儲(chǔ)設(shè)備的可靠性至關(guān)重要，長江存儲(chǔ)團(tuán)隊(duì)對(duì)于TRE問題的特點(diǎn)與物理機(jī)理進(jìn)行了相關(guān)研究，建立了物理模型并提出和驗(yàn)證了解決方法。

  芯片揭秘

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  2021/07/06

  長江存儲(chǔ) 3D NAND
• 紫光又有新目標(biāo)，閃迪or東芝？

  北京時(shí)間10月8日下午消息，中國臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》援引業(yè)內(nèi)消息人士的說法稱，清華紫光正在將收購目標(biāo)瞄準(zhǔn)NAND閃存廠商SanDisk和東芝。

  與非網(wǎng)記者

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  2015/10/09

  dram NAND
• 反射內(nèi)存卡

  反射內(nèi)存卡是一種高度先進(jìn)的存儲(chǔ)設(shè)備，利用先進(jìn)的反射技術(shù)和內(nèi)存設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了高速、穩(wěn)定和大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。與傳統(tǒng)存儲(chǔ)設(shè)備相比，反射內(nèi)存卡具有更快的讀寫速度、更大的存儲(chǔ)容量以及更長的使用壽命。

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  02/06 14:25

  內(nèi)存卡 存儲(chǔ)設(shè)備

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