在復(fù)雜國際形勢以及AI算力需求爆發(fā)式增長的背景下，全球存儲市場風(fēng)云激蕩。一方面，存儲器市場價格呈現(xiàn)波動。今年一季度DRAM與NAND Flash合約價雙雙下跌。第二季度，為應(yīng)對市場不確定性，存儲器市場交易動能強勁，采購端積極提高DRAM與NAND Flash庫存水位，帶動第二季存儲器合約價上漲，TrendForce集邦咨詢預(yù)估一般型DRAM合約價將上漲5~10%，NAND Flash合約價將上漲3~8%。

在算力需求指數(shù)級增長的今天，存儲技術(shù)正經(jīng)歷著從"被動容器"到"主動參與者"的范式轉(zhuǎn)變。SOCAMM的誕生，標(biāo)志著內(nèi)存模塊首次實現(xiàn)了對計算需求的動態(tài)響應(yīng)能力。其同步架構(gòu)通過統(tǒng)一時鐘信號實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸?shù)木珳?zhǔn)編排，將帶寬提升至傳統(tǒng)DDR5的2.5倍，而適應(yīng)性調(diào)節(jié)機制則讓模塊在低負(fù)載時自動進入節(jié)能模式，功耗僅為同類產(chǎn)品的三分之一。這種"智能節(jié)流"特性，使得SOCAMM在AI訓(xùn)練場景中能根據(jù)模型復(fù)雜度實時調(diào)整資源分配，避免了傳統(tǒng)內(nèi)存"大馬拉小車"的效率損耗。

近期，存儲芯片市場迎來了新一輪的漲價潮，多家存儲頭部企業(yè)紛紛宣布提高部分產(chǎn)品報價。國內(nèi)存儲企業(yè)也緊跟步伐，紛紛上調(diào)提貨價格。在1個月之前，業(yè)界還普遍預(yù)估存儲芯片價格有望在今年6月份或7月份啟動上漲，如今上漲提前到來，存儲市場是否進入了復(fù)蘇期？

在存儲行業(yè)持續(xù)波動的背景下，閃迪于近日發(fā)布了其自西部數(shù)據(jù)分拆后的首份獨立財報，雖營收有所下降但表現(xiàn)仍超出市場預(yù)期。此外群聯(lián)、華邦電、佰維存儲、美光科技、慧榮科技、威剛等存儲廠商的季度財報也顯示出企業(yè)在行業(yè)周期中的發(fā)展韌性。業(yè)界認(rèn)為，2025年第二季存儲市場減產(chǎn)奏效，存儲器市場部分領(lǐng)域有望逐步回暖。

DRAM現(xiàn)貨市場情況:DDR4現(xiàn)貨市場持續(xù)呈現(xiàn)強勁需求，供應(yīng)緊張的局面。 尤其以SK Hynix與Samsung品牌的8Gb與16Gb顆粒供應(yīng)緊張尤為突出。