国产精品久久久久永久免费看,大地资源网更新免费播放视频,国产成人久久av免费,成人欧美一区二区三区黑人免费,丁香五月天综合缴情网

半導體工藝

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論
  • 半導體二手設備的認知誤區(qū)
    這個話題其實一直想寫一寫，最近怠于動筆，今天得空兒碼幾行文字。 半導體二手設備其實是半導體領域一個非常獨特的存在，別的行業(yè)雖然也存在二手設備市場，但能夠撐起成熟制程設備半壁江山的，還真是比較少。雖然二手設備在半導體產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)中扮演了如此重要的角色，但普遍存在一些認知誤區(qū)，也導致很多人對這個行業(yè)有誤解。 正是因為有誤解，導致相關公司特別不愿意提自己是二手設備廠商， “二手” 倆字都羞于啟齒，反倒用一
    半導體二手設備的認知誤區(qū)
  • 什么是SPT技術，SPT技術位于工藝流程什么位置？
    在半導體工藝中，SPT 通常是指應力鄰近技術（Stress Proximity Technology）。它是一種通過在柵極周圍形成特定結構或沉積特定材料，將應力引入到半導體溝道中的工藝技術。具體介紹如下：
    什么是SPT技術，SPT技術位于工藝流程什么位置？
  • 在半導體SiGe工藝中，為什么需要分兩步生長？
    在半導體 SiGe 工藝中，分兩步生長低摻雜 Ge 層和高摻雜 Ge 層主要基于以下多方面的工藝優(yōu)化需求：晶格常數(shù)差異：Ge的晶格常數(shù)（5.66 ?）比Si（5.43 ?）大約4%，直接在 Si 襯底上生長高摻雜 Ge 層會因晶格失配產(chǎn)生高應力，導致位錯等缺陷。第一步低摻雜 Ge 層作為緩沖層，通過較低的摻雜濃度和漸變的 Ge 含量（如從 Si 到 SiGe 的過渡），逐步釋放晶格應力，為后續(xù)高摻雜層提供穩(wěn)定的生長基礎。
    在半導體SiGe工藝中，為什么需要分兩步生長？
  • 在半導體工藝中，Metal ECP 為什么要洗邊？一般洗多少寬度？
    在半導體制造工藝里，金屬層的電化學鍍（ECP）是構建芯片內部復雜電路互連的關鍵環(huán)節(jié)。而在 ECP 工藝完成后，一項不可或缺的后續(xù)操作便是洗邊。這一操作看似簡單，實則對芯片制造的整體質量、性能以及生產(chǎn)效率有著多方面的深刻影響。
    在半導體工藝中，Metal ECP 為什么要洗邊？一般洗多少寬度？
  • 如何看待中國的半導體工藝制程被卡在7nm，如何才能突破？
    突破7nm制程瓶頸，既需要短期內的技術攻堅，也需要長期的戰(zhàn)略布局。當前，中國的7nm制程技術尚未達到全球頂尖水平，尤其是在極紫外（EUV）光刻機等關鍵前道制造設備上，仍然依賴外部供應。要突破這一瓶頸，必須依賴自主研發(fā)和技術創(chuàng)新。
    如何看待中國的半導體工藝制程被卡在7nm，如何才能突破？