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功率半導體

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功率半導體(Power Semiconductor)是一種能夠承受較大電流和高電壓的半導體器件,其主要用途是進行控制和轉換高功率電信號。與普通半導體器件不同,功率半導體具有更強的電力控制能力和更高的工作效率,因此被廣泛應用于各類工業(yè)、家電、航空航天等領域。

功率半導體(Power Semiconductor)是一種能夠承受較大電流和高電壓的半導體器件,其主要用途是進行控制和轉換高功率電信號。與普通半導體器件不同,功率半導體具有更強的電力控制能力和更高的工作效率,因此被廣泛應用于各類工業(yè)、家電、航空航天等領域。收起

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  • 村田推出首款支持引線鍵合的功率半導體用樹脂模塑結構NTC熱敏電阻,成功實現(xiàn)商品化
    株式會社村田制作所(以下簡稱“村田”)宣布,將功率半導體用NTC熱敏電阻“FTI系列”商品化。該系列產品是村田首款※1采用樹脂模塑結構且支持引線鍵合※2的NTC熱敏電阻,通過設置在功率半導體附近,可以準確測量其溫度。此外,其工作溫度確保范圍高達-55°C至175°C,適合用于產生大量熱量的汽車動力總成用途※3。 ※1 根據(jù)村田內部調查,截至2025年4月。 ※2 引線鍵合是一種通過細金屬線將半導體
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  • ROHM發(fā)布新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)” 功率半導體的仿真速度實現(xiàn)質的飛躍
    全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,推出新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”,該模型提升了收斂性和仿真速度。 功率半導體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響,因此在設計階段的仿真驗證中,模型的精度至關重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1(L1)”,通過提高每種特性的復現(xiàn)性,滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面,該模
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  • 英飛凌 IGBT7 系列芯片大解析
    核心技術優(yōu)勢/方案詳細規(guī)格/產品實體圖/PCB/方塊圖Datasheet/測試報告/Gerber/Schematics/User manual +一鍵獲取 上回書(英飛凌芯片簡史)說到,IGBT自面世以來,歷經(jīng)數(shù)代技術更迭,標志性的技術包括平面柵+NPT結構的IGBT2,溝槽柵+場截止結構的IGBT3和IGBT4,表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等?,F(xiàn)今,英飛凌IGBT芯片的“當家掌門”已由IGBT
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  • 技術洞察 | 英飛凌CoolMOS? 8證實高壓硅基技術在功率電子領域仍然發(fā)揮著重要作用
    核心技術優(yōu)勢/方案詳細規(guī)格/產品實體圖/PCB/方塊圖Datasheet/測試報告/Gerber/Schematics/User manual +一鍵獲取 近年來,媒體、網(wǎng)絡研討會和雜志幾乎每天都會報道碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)器件的大規(guī)模部署,它們作為新一代半導體材料,正勢不可擋地拓展應用范圍,似乎正在動搖硅基器件多年來在功率轉換領域的主導地位!然而,盡管電動出行和可再生能源政策為新技術
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  • 尼得科精密檢測科技參展JPCA Show 2025
    尼得科精密檢測科技將參展2025年6月4日(周三)~6月6日(周五)在東京國際展覽中心舉辦的“第54屆國際電子電路產業(yè)展覽會”。 在本次展會上,尼得科精密檢測科技將主要展示面向新一代封裝而備受矚目的、Glass Panel的TGV檢測解決方案以及在尼得科集團協(xié)同效應下新開發(fā)的自動搬運設備“EFEM(Equipment Front End Module)”。此外,我們還新增了符合市場趨勢的AI及LE
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  • 國產功率半導體公司,大漲!
    今年上半年的功率半導體市場,傳來的大都是消極的情緒?!靶枨笃\洝薄皫齑娓咂蟆?,英飛凌、安森美等巨頭更是直言“傳統(tǒng)業(yè)務承壓”。但有意思的是,國產功率芯片公司的體感似乎并不相同。
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  • 半導體領域再現(xiàn)三起重大并購,70億大手筆加碼12英寸硅片
    近期,半導體行業(yè)掀起新一輪整合潮。5月20日,國內半導體硅片龍頭滬硅產業(yè)披露重大資產重組計劃,擬以70.4億元收購新昇晶投、新昇晶科、新昇晶睿三家子公司剩余股權,實現(xiàn)全資控股。此舉旨在深化300mm硅片業(yè)務整合,提升產業(yè)鏈協(xié)同效率。作為國內率先實現(xiàn)12英寸硅片規(guī)?;慨a的企業(yè),滬硅產業(yè)正加速追趕國際巨頭。
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  • 英飛凌攜手優(yōu)優(yōu)綠能,助力電能轉換效率新突破
    在全國兩會聚焦新能源汽車充換電基礎設施升級、力推超充網(wǎng)絡擴建、高速充電走廊建設及換電模式普及的背景下,充換電行業(yè)正迎來高質量發(fā)展的關鍵期。近日,英飛凌科技宣布與深圳優(yōu)優(yōu)綠能股份有限公司深化合作,通過提供英飛凌先進的CoolMOS?和TRENCHSTOP? IGBT, CoolSiC? MOSFET和EiceDRIVER?驅動器等全套功率半導體解決方案,全面賦能優(yōu)優(yōu)綠能新一代40kW液冷充電模塊及V
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  • 固晶錫膏如何征服高功率封裝 一文破解高密度封裝的散熱密碼
    固晶錫膏是專為芯片固晶設計的錫基焊料,通過冶金結合實現(xiàn)高強度、高導熱連接,對比傳統(tǒng)銀膠與普通錫膏,具備超高導熱(60-70W/m?K)、高強度(剪切強度40MPa+)、精密填充(間隙5-50μm)等優(yōu)勢。分高溫型(SnAgCu)、中溫型(SnBi)、高導型,適用于功率半導體、LED 顯示、汽車電子、先進封裝等場景,解決高功率散熱、振動耐受、精密間隙填充等難題。選型需結合芯片耐溫、間隙精度、環(huán)境要求,以金屬級連接提升器件可靠性與性能上限,成為高端封裝的關鍵材料。
  • 英飛凌推出用于高壓應用的EasyPACK CoolGaN 功率模塊
    隨著AI數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展、電動汽車的日益普及,以及全球數(shù)字化和再工業(yè)化趨勢的持續(xù),預計全球對電力的需求將會快速增長。為應對這一挑戰(zhàn),英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出EasyPACK? CoolGaN? 650 V晶體管模塊,進一步擴大其持續(xù)壯大的氮化鎵(GaN)功率產品組合。該模塊基于Easy Power Module平臺,專為數(shù)據(jù)中心、可再生能源系統(tǒng)
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  • 英飛凌推出新型CoolSiC JFET技術
    為推動下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴展其碳化硅(SiC)產品組合,推出了新型CoolSiC? JFET產品系列。新系列產品擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性,使其成為先進固態(tài)保護與配電系統(tǒng)的理想之選。憑借強大的短路能力、線性模式下的熱穩(wěn)定性以及精確的過壓控制,CoolSiC? JFET可在各種工業(yè)和汽車應用中實現(xiàn)可
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  • 羅姆將攜電動交通與工業(yè)領域的最新解決方案亮相PCIM Europe 2025
    全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,將于2025年5月6日至8日參加在德國紐倫堡舉辦的PCIM(PCIM Expo & Conference)展覽會暨研討會。該展會是電力電子、智能運動、可再生能源及能源管理領域的國際頂級盛會。羅姆將在9號館304展位展示與知名合作伙伴的參考項目及其封裝設計與評估板的技術演進。 羅姆半導體歐洲總裁Wolfram Harnack表示:“
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  • 功率半導體,嗅到風險
    過去一年的時間里,功率半導體市場一改往昔的熱鬧,開始變得冷清與平淡。TechInsights數(shù)據(jù)顯示,2024?年功率半導體行業(yè)銷售額高達468億美元,與2023年相比下降了8%。近日,行業(yè)內功率半導體巨頭也動作頻頻,釋放諸多信號。
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  • 從本土突圍到全球布局,瑞能半導體攜創(chuàng)新方案亮相2025慕尼黑上海電子展
    日前,瑞能半導體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展(Electronica China 2025),全方位展示了其在碳化硅、IGBT、MOSFET等領域的最新突破成果。本次展會,瑞能半導體延續(xù)“高效、可靠、創(chuàng)新”的核心品牌理念,助力消費電子、工業(yè)和大數(shù)據(jù)、可再生能源、汽車電子這四大核心應用領域的高效發(fā)展。在全球能源轉型與智能化浪潮加速的背景下,瑞能半導體正成為推動產業(yè)升級的核
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  • 揚杰科技:主業(yè)、產品結構、下游應用及研發(fā)概述
    揚杰科技:成立于2000年,已成為國內少數(shù)集單晶硅片制造、芯片設計制造、器件設計封裝測試、終端銷售與服務等縱向產業(yè)鏈為一體的規(guī)模企業(yè),同時在MOSFET、IGBT、第三代半導體等高端領域采用IDM+Fabless相結合的模式。
  • 純電車不好賣,半導體公司也裁員
    車規(guī)級功率半導體,屬于汽車電子的高性能半導體器件,用于電能轉換和電路控制,是影響純電動汽車續(xù)航里程的核心零部件?!度毡窘?jīng)濟新聞》近日報道,由于全球純電動汽車銷量增長放緩,功率半導體領域正面臨新一輪的收縮與裁員。
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  • 馬自達與羅姆開始聯(lián)合開發(fā)采用下一代半導體的汽車零部件
    Mazda Motor Corporation(以下簡稱“馬自達”)與ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)開始聯(lián)合開發(fā)采用下一代半導體技術——氮化鎵(GaN)功率半導體的汽車零部件。 (左)馬自達董事、專務執(zhí)行官兼CTO 廣瀨一郎/(右)羅姆董事、專務執(zhí)行官 東克己 馬自達與羅姆自2022年起,在“針對電驅動單元的開發(fā)與生產合作體系”中,一直在推進搭載碳化硅(SiC)功率半導體的逆變器
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  • 是德科技在寬禁帶半導體裸片上實現(xiàn)動態(tài)測試
    是德科技(NYSE: KEYS )增強了其雙脈沖測試產品組合,使客戶能夠從寬禁帶(WBG)功率半導體裸芯片的動態(tài)特性的精確和輕松測量中受益。在測量夾具中實施新技術最大限度地減少了寄生效應,并且不需要焊接到裸芯片上。這些夾具與是德科技的兩個版本的雙脈沖測試儀兼容。 是德科技在寬禁帶半導體裸片上實現(xiàn)動態(tài)測試 WBG功率半導體器件對于構建電動汽車、可再生能源和數(shù)據(jù)中心等應用的高效、穩(wěn)定的電力電子設備至關
    是德科技在寬禁帶半導體裸片上實現(xiàn)動態(tài)測試
  • 一文看懂國內12家功率半導體龍頭企業(yè)研發(fā)方向及技術對比
    隨著新能源汽車、光伏儲能、智能制造的興起,功率半導體成為各領域關鍵技術。本文梳理了揚杰科技、斯達半導體、士蘭微、東微半導、芯導科技、新潔能、華潤微、捷捷微電、安世半導體、蘇州固锝、中車時代電氣、芯朋微等國內領先廠商的研發(fā)方向和技術布局,幫助各位快速洞察產業(yè)趨勢。
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  • 英飛凌 CoolGaN? 功率晶體管賦能SounDigital放大器, 更小尺寸、更高保真
    由于市場對于音頻設備的緊湊、輕便、高集成度和節(jié)能的需求越來越高,領先的音頻設備制造商在不斷提高音質的同時,也在努力滿足這一需求。另外,他們還必須實現(xiàn)無縫連接、保證成本效益,并提供對用戶友好的功能,這使得音頻產品的開發(fā)變得更加復雜。為了解決這些難題,SounDigital在其全新1500 W D類放大器中集成了英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)的 CoolGaN
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