內(nèi)光電效應是指在半導體材料中，當光子能量大于或等于材料禁帶寬度時，會激發(fā)材料中的自由電子從價帶躍遷到導帶，產(chǎn)生電子空穴對，這種現(xiàn)象稱為內(nèi)光電效應。

內(nèi)光電效應的代表器件有光電二極管、光敏電阻、光電晶體管、PIN光電二極管等。

1.什么是內(nèi)光電效應

內(nèi)光電效應就是在半導體材料中，光子能量大于或等于材料禁帶寬度時，會引起材料中自由電子的躍遷，產(chǎn)生電子空穴對，產(chǎn)生電流的物理效應。

2.內(nèi)光電效應的代表器件

光電二極管是應用最廣泛的內(nèi)光電效應的代表器件之一，它的結(jié)構(gòu)類似于普通的二極管，但是PN結(jié)受到光的照射后產(chǎn)生光電效應，導致電子從價帶躍遷到導帶形成電荷載流子，從而實現(xiàn)對光信號的檢測和轉(zhuǎn)換。

光敏電阻也是內(nèi)光電效應的代表器件之一，當光照射到半導體材料上時，會激發(fā)電子從價帶躍遷到導帶，材料電阻率發(fā)生變化，實現(xiàn)了對光信號的檢測和轉(zhuǎn)換。

光電晶體管是一種具有放大作用的內(nèi)光電效應器件，它的結(jié)構(gòu)與常規(guī)三極管相似，被基極控制的光電晶體管可以通過專門設計的電路實現(xiàn)光信號的放大和增強。

PIN光電二極管是一種特殊的結(jié)構(gòu)光電二極管， PN結(jié)兩側(cè)增加了一層高摻雜區(qū)，能夠增強光電轉(zhuǎn)換效率，使其應用范圍更廣泛。