SiC MOSFET中自由器件實(shí)現(xiàn)的優(yōu)化

2023/10/26 作者：力特奧維斯Littelfuse

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SiC MOSFET中自由器件實(shí)現(xiàn)的優(yōu)化

本文討論了在半橋結(jié)構(gòu)下SiC MOSFET自由器件實(shí)現(xiàn)的優(yōu)化。介紹了用SiC MOSFET開關(guān)實(shí)現(xiàn)的多自由度器件的動(dòng)態(tài)特性。比較了SiC MOSFET體二極管和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)在開爾文源連接和無開爾文源連接下的開關(guān)器件的性能。本文旨在確定SiC MOSFET的主體二極管是否是MOSFET高速開關(guān)的限制因素。

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在從消費(fèi)電子產(chǎn)品到車輛和工業(yè)設(shè)施的使用電能的應(yīng)用中，Littelfuse 產(chǎn)品一只是重要的組件。他們提供業(yè)界最廣泛、最深入的電路保護(hù)產(chǎn)品組合，并在功率控制和檢測(cè)領(lǐng)域擁有不斷發(fā)展的平臺(tái)。作為其加速組織增長(zhǎng)和戰(zhàn)略并購公司戰(zhàn)略的一部分，他們正不斷向相鄰市場(chǎng)擴(kuò)張。這些市場(chǎng)包括功率半導(dǎo)體、重型開關(guān)、磁性、光學(xué)、機(jī)電和溫度傳感器；并提供安全控制和電力分配產(chǎn)品。

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