由于IGBT模具的結(jié)構(gòu),壓包式IGBT對壓力和靜電放電(ESD)都敏感。器件上的非均勻夾緊或過夾緊壓力可能導(dǎo)致硅的直接損壞或器件操作能力的惡化。其次,由于MOSFET柵極結(jié)構(gòu),IGBT對ESD很敏感。在操作設(shè)備時(shí),如果不采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施,可能會(huì)由于不受控制的靜電放電/感應(yīng)高壓對設(shè)備造成災(zāi)難性的損壞。
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Littelfuse電源半可能的故障模式按包應(yīng)用說明
由于IGBT模具的結(jié)構(gòu),壓包式IGBT對壓力和靜電放電(ESD)都敏感。器件上的非均勻夾緊或過夾緊壓力可能導(dǎo)致硅的直接損壞或器件操作能力的惡化。其次,由于MOSFET柵極結(jié)構(gòu),IGBT對ESD很敏感。在操作設(shè)備時(shí),如果不采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施,可能會(huì)由于不受控制的靜電放電/感應(yīng)高壓對設(shè)備造成災(zāi)難性的損壞。
器件型號(hào) | 數(shù)量 | 器件廠商 | 器件描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | ECAD模型 | 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) | 參考價(jià)格 | 更多信息 |
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CRCW12060000Z0EAC | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.25W, 0ohm, Surface Mount, 1206, CHIP |
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$0.04 | 查看 | |
SI2325DS-T1-E3 | 1 | Vishay Intertechnologies | TRANSISTOR 530 mA, 150 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal |
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$0.63 | 查看 | |
CRCW08050000Z0EAC | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.125W, 0ohm, Surface Mount, 0805, CHIP |
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$0.03 | 查看 |
在從消費(fèi)電子產(chǎn)品到車輛和工業(yè)設(shè)施的使用電能的應(yīng)用中,Littelfuse 產(chǎn)品一只是重要的組件。他們提供業(yè)界最廣泛、最深入的電路保護(hù)產(chǎn)品組合,并在功率控制和檢測領(lǐng)域擁有不斷發(fā)展的平臺(tái)。作為其加速組織增長和戰(zhàn)略并購公司戰(zhàn)略的一部分,他們正不斷向相鄰市場擴(kuò)張。這些市場包括功率半導(dǎo)體、重型開關(guān)、磁性、光學(xué)、機(jī)電和溫度傳感器;并提供安全控制和電力分配產(chǎn)品。
在從消費(fèi)電子產(chǎn)品到車輛和工業(yè)設(shè)施的使用電能的應(yīng)用中,Littelfuse 產(chǎn)品一只是重要的組件。他們提供業(yè)界最廣泛、最深入的電路保護(hù)產(chǎn)品組合,并在功率控制和檢測領(lǐng)域擁有不斷發(fā)展的平臺(tái)。作為其加速組織增長和戰(zhàn)略并購公司戰(zhàn)略的一部分,他們正不斷向相鄰市場擴(kuò)張。這些市場包括功率半導(dǎo)體、重型開關(guān)、磁性、光學(xué)、機(jī)電和溫度傳感器;并提供安全控制和電力分配產(chǎn)品。收起
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去合作力特于1927年于美國伊利諾伊州芝加哥正式成立。如今,力特已經(jīng)在行業(yè)中建立了廣泛和全面的電路保護(hù)產(chǎn)品系列和產(chǎn)品線,是世界領(lǐng)先的電路元器件供應(yīng)商及電路保護(hù)品牌。