射頻功率場效應(yīng)晶體管、高強(qiáng)度N-溝道、增強(qiáng)型側(cè)向MOSFET，這些高強(qiáng)度器件專為高VSWR工業(yè)（包括激光和等離子激勵器）、廣播（模擬和數(shù)字）、航空航天和無線電/陸地移動應(yīng)用而設(shè)計。它們具有無與倫比的輸入和輸出設(shè)計，可在1.8至600 MHz的寬頻段范圍內(nèi)使用。

特點

? 無與倫比的輸入和輸出設(shè)計，可在寬頻段范圍內(nèi)使用

? 該器件可以單端或推挽配置使用

? 最大50 VDD操作

? 從30 V到50 V范圍進(jìn)行特征化，擴(kuò)展功率范圍

? 適合線性應(yīng)用，并配以適當(dāng)?shù)钠?/p>

? 集成ESD保護(hù)，具有更大的負(fù)柵源電壓范圍，以改善C類操作

? 通過串聯(lián)等效大信號阻抗參數(shù)進(jìn)行特征化

? 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

? 帶卷筒帶和卷盤。R6后綴= 150個裝置，56毫米帶寬，13英寸卷筒。 有關(guān)R5帶卷筒選項，請參見第12頁。