武漢長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體基地項(xiàng)目是我國(guó)的一個(gè)重要項(xiàng)目，總投資200億元，主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)。該項(xiàng)目建成后，將成為國(guó)內(nèi)最大的碳化硅功率半導(dǎo)體制造基地。工廠內(nèi)采用國(guó)產(chǎn)的半導(dǎo)體天車AMHS（自動(dòng)物料搬運(yùn)）系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)全廠機(jī)臺(tái)到機(jī)臺(tái)的智能化搬運(yùn)，科智立的半導(dǎo)體RFID讀寫器正是這AMHS系統(tǒng)的重要組成部分。其高效準(zhǔn)確的識(shí)別與數(shù)據(jù)讀取能力，保障了物料運(yùn)輸?shù)牧鲿撑c精準(zhǔn)，進(jìn)一步提升了生產(chǎn)效率，為我

這幾年半導(dǎo)體并購(gòu)一直雷聲大雨點(diǎn)小，看上去很多并購(gòu)在談，但是談成的很少。除了估值過高外，最主要的阻礙是國(guó)資難以退出。從2014年大基金成立以來，央企和地方政府也成立了很多基金進(jìn)入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，尤其在重資產(chǎn)領(lǐng)域占比很高?，F(xiàn)在產(chǎn)業(yè)形勢(shì)發(fā)生重大變化，國(guó)資如何退出就成為產(chǎn)業(yè)并購(gòu)的首要問題。要解決這個(gè)老大難問題，需要國(guó)資退出的新思維。

圓（wafer）清洗后的失效時(shí)間（即清洗后到表面再次出現(xiàn)污染或氧化的時(shí)間）取決于多種因素，包括清洗工藝、環(huán)境條件、晶圓表面材料以及后續(xù)處理方式等。以下是一個(gè)簡(jiǎn)要的分析： 1. 典型失效時(shí)間范圍 常溫常壓下：在潔凈的干燥環(huán)境中，清洗后的晶圓表面可能保持?jǐn)?shù)小時(shí)到數(shù)天的潔凈度，具體取決于環(huán)境濕度、顆粒濃度和表面吸附特性。 高濕度環(huán)境：如果環(huán)境濕度較高（如>50%），晶圓表面可能在幾小時(shí)內(nèi)吸附水分或

6月19日，康達(dá)新材公告稱，公司當(dāng)日與中科華微及其股東遼寧四和微、趙峰、孫麗娜簽署了《投資合作意向協(xié)議》，擬以現(xiàn)金方式收購(gòu)中科華微不低于51%的股權(quán)，實(shí)現(xiàn)對(duì)標(biāo)的公司的控股。標(biāo)的公司100%股權(quán)的整體估值暫未定，最終以評(píng)估報(bào)告和正式簽署的收購(gòu)協(xié)議為準(zhǔn)。