基礎半導體器件領域的專家Nexperia，今日宣布將于9月21日至23日舉辦‘Power Live’，這是其第二次舉辦此年度虛擬會議。鑒于去年首屆活動取得圓滿成功，本屆為期三天的活動將擴大規(guī)模，涵蓋與功率電子元件相關的眾多主題，包括面向汽車和工業(yè)應用的GaN、MOSFET、功率二極管和雙極性晶體管。

會議重點將包括：

• MOSFET全電熱模型

Nexperia新款MOSFET電熱模型的詳細預覽，該模型可以在仿真中準確呈現(xiàn)器件的靜態(tài)和動態(tài)特性，并降低在設計過程后期發(fā)現(xiàn)EMC問題的風險。

• 650V CCPAK貼片封裝氮化鎵器件評估 

行業(yè)領先的CCPAK封裝氮化鎵器件的評估板即將推出，便于使用雙脈沖測試評估其特性和優(yōu)勢。

• 功率MOSFET在工業(yè)應用中的設計

無論出于什么原因、什么時間需要一路500 A的MOSFET，它都需要能優(yōu)化關鍵特性并管理涌入電流和熱SOA曲線。

• 肖特基整流器、鍺化硅整流器或恢復(PN)整流器？ 

如何通過選擇最合適的功率二極管，在LED驅動器或電磁閥驅動器等汽車應用中實現(xiàn)出色的效率和可靠性。 

整個議程將包括現(xiàn)場演示，邀請工程師討論當今使用功率器件進行設計時面臨的最大挑戰(zhàn)，同時還會展示Nexperia重要合作伙伴的案例研究和貢獻。在活動期間，參會者還可以觀看Nexperia資深功率專家直接從公司全球實驗室為大家?guī)淼淖钚录夹g演示。

此次‘Power Live’活動將于9月23日（星期四）結束，由Nexperia和行業(yè)專家共同參與的GaN小組討論將是最后一場活動。這將是一場針對探討對技術和市場想法及影響的開放式論壇，非常歡迎與會者的傾情貢獻。

Nexperia全球營銷主管Robby Ferdinandus針對‘Power Live’評論道：“去年我們第一次舉辦活動時得到了非常棒的反饋。超過700多名工程師注冊參加，并且許多人表示能與現(xiàn)場會議中志同道合的伙伴交流，討論常見的設計挑戰(zhàn)，這種體驗十分寶貴。”

完整的活動日程現(xiàn)已發(fā)布?？梢允褂米皂撁嫔系谋砀裉峤蛔稍冇嘘PGaN小組討論會的問題。