繼 33 年前美國推出 Sematech 計(jì)劃之后，美國人現(xiàn)在開始著手一項(xiàng)新的半導(dǎo)體研發(fā)計(jì)劃，該計(jì)劃和 Sematech 同樣重要。

1985 年，日本人在存儲器制造技術(shù)和半導(dǎo)體市場份額上雙雙超過美國，相比之下，今天來自中國的威脅就不是那么迫切而直接了。

但是，如果中國人真正采取進(jìn)攻性的行動，美國當(dāng)前的電子復(fù)興計(jì)劃（ERI）將會起到恰到好處的反制作用。

美國人通常情況下都很聰明，他們給那些充滿聰明才智的家伙提供微不足道的資助 - 幾百萬美金，讓他們執(zhí)行一些看起來相當(dāng)古怪的科技計(jì)劃。

比如，他們就曾經(jīng)向 Symetrix、ARM 和美國應(yīng)用材料公司提供了 670 萬美金，用于開發(fā)相關(guān) RAM。

還有，他們給伊利諾伊大學(xué)、格羅方德和雷神公司撥款 8300 萬美金，用于開發(fā)基于 MRAM 的處理器。

奇怪的是，他們給英特爾資助了 450 萬美金，用于開發(fā)可重新配置的處理器，還給高通 200 萬美金干同樣的事情。一般人都想知道，為什么一家市值 6000 億美金和一家市值 3000 億美金的公司需要這種微不足道的資金支持？需要美國政府出資誘導(dǎo)它們進(jìn)行國家認(rèn)為有意義的研發(fā)？

ERI 計(jì)劃已經(jīng)向大約 40 個(gè)項(xiàng)目撥款 3.2 億美金，這和中國試圖支出幾千億美金尋求收購少數(shù)存儲器芯片公司形成了鮮明對比。

而且，在這 3.2 億美金的資助項(xiàng)目中中，還包括 6100 萬美金，資助使用碳納米管(CNT)基場效應(yīng)晶體管(FET)開發(fā) 3D SoC 的技術(shù)。

這是一個(gè)令人興奮、雄心勃勃同時(shí)又略顯瘋狂的技術(shù)，但是，隨著許多主流技術(shù)逐步成熟走向市場，這個(gè)行業(yè)可能需要一些瘋狂的想法。

3D SoC 的外觀如下圖所示。

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