當數(shù)千伏工業(yè)電機快速啟停時、當高速充電樁斷電恢復時、當光伏逆變器遭遇雷擊時，高壓側電路可能會因電感電流突變或浪涌耦合，產(chǎn)生幅值達母線電壓數(shù)倍的電壓尖峰。而在缺乏有效電氣隔離措施或在寄生電容耦合作用的情況下，這些電壓尖峰會迅速傳導至低壓側電路，瞬間擊穿MCU、傳感器等敏感元器件，嚴重時還會威脅到操作人員的生命安全。

因此，在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)的高低壓電路之間引入隔離芯片，建立安全可靠的電氣隔離屏障，已成多項安全標準與通用規(guī)范中的明確要求與剛性規(guī)定。其不僅能防止高壓浪涌、短路漏電等不良現(xiàn)象損壞敏感元器件，還能在復雜環(huán)境中保障數(shù)字信號的傳輸質量，是工業(yè)自動化與光儲充等場景中實現(xiàn)系統(tǒng)穩(wěn)定與本質安全的核心保障。

容耦隔離器，科技進步的時代烙印

隔離芯片是將輸入信號進行轉換并輸出，以實現(xiàn)輸入、輸出兩端電氣隔離的一種安規(guī)器件?，F(xiàn)階段，市場中主流的隔離芯片主要分為傳統(tǒng)的光耦隔離器，以及容耦隔離器和磁耦隔離器兩類數(shù)字隔離器，其中容耦隔離替代傳統(tǒng)光耦隔離的趨勢明確，容耦隔離已成為隔離芯片市場中的主流發(fā)展方向。

傳統(tǒng)光耦隔離器的工作原理為通過發(fā)光二極管（LED）將來自MCU的直流脈沖信號（數(shù)字信號）轉為光信號，經(jīng)PI透明介質隔離后，再由光敏元件接收光信號，而后產(chǎn)生電導率變化，進而將其還原為原來的數(shù)字信號。雖然光耦隔離器技術成熟度較高、成本較低，但由于存在LED光衰、運行功耗大與傳輸速率低等固有缺陷，其在高速通信與能效敏感的場景中漸顯乏力。

容耦隔離器的工作原理為通過OOK調制技術將來自MCU的直流脈沖信號（數(shù)字信號）調制為高頻載波信號（具備交流特性），而后通過電容電場的耦合作用將其傳輸至信號接收端，信號接收端再將其解調還原為原來的數(shù)字信號。

與傳統(tǒng)光耦隔離器相比，采用CMOS工藝的容耦隔離器在信號傳輸速率、信號傳輸延遲、隔離電壓、CMTI、運行功耗、使用壽命、集成度與溫度適應范圍等性能指標上的表現(xiàn)更加優(yōu)異，具備顯著的快速迭代能力，其不僅是升級光耦隔離器的核心替代方案，更是科技持續(xù)進步所留下的時代烙印。

高性能CMT812X，傳統(tǒng)高速光耦隔離器的升級方案

華普微，作為芯片年出貨量達數(shù)億顆的物聯(lián)網(wǎng)芯片開發(fā)企業(yè)，其自產(chǎn)自研的數(shù)字隔離芯片基于Sub-GHz射頻技術開發(fā)，采用經(jīng)典OOK（On-Off Keying，開關鍵控）射頻調制方案，是一種在芯片內(nèi)部構建了微型無線射頻收發(fā)系統(tǒng)的高性能容耦隔離器。例如，CMT812X系列容耦隔離器就可作為傳統(tǒng)高速光耦隔離器的升級方案。

CMT812X系列容耦隔離器采用穩(wěn)健可靠的二氧化硅(SiO2)絕緣柵，不僅支持高達5 kVRms隔離電壓、8kV浪涌能力以及40年以上的預期使用壽命，還可顯著增強器件電磁兼容性（EMC），有效滿足系統(tǒng)級ESD、EFT、浪涌和輻射方面的合規(guī)要求。同時，默認輸出低電平和高電平選項，還能使其更靈活地適用于不同的使用場景。

在應用領域方面，CMT812X系列容耦隔離器已廣泛應用于工業(yè)自動化、新能源汽車、光伏逆變器、電機控制、隔離式SPI以及通用多通道隔離等場合。CMT812X系列芯片可在通信過程中實現(xiàn)兩路通道隔離，確保數(shù)據(jù)信號安全傳輸，特別是在工業(yè)應用中，可有效防止噪聲干擾，保證工業(yè)設備的穩(wěn)定運行。

展望未來，隨著電力電子技術的持續(xù)革新與行業(yè)對系統(tǒng)安全性、穩(wěn)定性要求的不斷提升，容耦隔離器對傳統(tǒng)光耦隔離器的替代進程將進一步深化并加速。這一趨勢不僅會覆蓋現(xiàn)有工業(yè)自動化、光儲充等核心場景，更將向如智能電網(wǎng)、消費電子及更多需要高低壓隔離的復雜系統(tǒng)等場景延伸，助力整個電力電子產(chǎn)業(yè)向更安全、更高效的生態(tài)體系邁進。