近日，在2025英特爾代工大會上，英特爾展示了多代核心制程和先進封裝技術的最新進展，這些突破不僅體現(xiàn)了英特爾在技術開發(fā)領域的持續(xù)創(chuàng)新，也面向客戶需求提供了更高效、更靈活的解決方案。

在制程技術方面，英特爾代工已取得重要里程碑。例如，Intel 18A制程節(jié)點已進入風險試產階段，并計劃于今年內實現(xiàn)正式量產。這一節(jié)點采用了PowerVia背面供電技術和RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管。英特爾代工的生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴為Intel 18A提供了EDA支持，參考流程和知識產權許可，讓客戶可以基于該節(jié)點開始產品設計。

Intel 18A制程節(jié)點的演進版本Intel 18A-P，將為更大范圍的代工客戶帶來更卓越的性能。Intel 18A-P的早期試驗晶圓（early wafers）目前已經開始生產。由于Intel 18A-P與Intel 18A的設計規(guī)則兼容，IP和EDA合作伙伴已經開始為該演進節(jié)點提供相應的支持。Intel 18A-PT是在Intel 18A-P的性能和能效進步基礎上推出的另一種Intel 18A演進版本。Intel 18A-PT可通過Foveros Direct 3D先進封裝技術與頂層芯片連接，混合鍵合互連間距小于5微米。

英特爾還在積極開發(fā)下一代制程節(jié)點Intel 14A，已與主要客戶展開合作，發(fā)送了Intel 14A PDK（制程工藝設計工具包）的早期版本。這些客戶已經表示

有意基于該節(jié)點制造測試芯片。相對于Intel 18A所采用的PowerVia背面供電技術，Intel 14A將采用PowerDirect直接觸點供電技術，進一步優(yōu)化了功耗和性能。

同時，在成熟制程方面，英特爾代工流片的首批基于16納米制程的產品已經進入晶圓廠生產，也正在與主要客戶洽談與UMC合作開發(fā)的12納米節(jié)點及其演進版本。

在先進封裝領域，英特爾推出了包括Foveros Direct（3D堆疊）和EMIB（2.5D橋接）在內的多種技術解決方案。英特爾還將向客戶提供新的先進封裝技術，包括面向未來高帶寬內存需求的EMIB-T；在Foveros 3D先進封裝技術方面，F(xiàn)overos-R和Foveros-B也將為客戶提供更多高效靈活的選擇。

目前，英特爾亞利桑那州的Fab 52工廠已成功完成Intel 18A的流片（run the lot），標志著該廠首批晶圓（wafer）順利試產成功，展現(xiàn)了英特爾在先進制程制造方面的進展。隨著俄勒岡州晶圓廠即將率先實現(xiàn)Intel 18A的大規(guī)模量產，英特爾正穩(wěn)步推進其制程技術的商業(yè)化進程。

英特爾憑借其以工程至上為核心的文化，領先的制程技術和先進封裝能力，正在不斷突破技術邊界，為客戶提供高性能、低功耗的解決方案。這些技術創(chuàng)新不僅強化了英特爾在半導體行業(yè)的競爭力，也為全球科技產業(yè)的發(fā)展注入了新的動力。未來，英特爾將繼續(xù)引領技術潮流，為客戶和合作伙伴創(chuàng)造更多價值。