IGBT技術應用領域與行業(yè)現(xiàn)狀介紹?-?TRinno的IGBT單管和IGBT模塊命名規(guī)則
簡介:
深圳市浮思特科技有限公司,是TRinno的一級代理。TRinnoTechnology,韓國IA集團下專注功率器件研發(fā)和生產的企業(yè),主打產品是汽車級的IGBT、Power MOSFET和SiC。本文將向您解釋TRinno的IGBT單管和IGBT模塊的命名規(guī)則,同時介紹IGBT產品的應用領域和行業(yè)現(xiàn)狀。
一、TRinno產品IGBT系命名
我們已具體的產品為例
1.IGBT Discrete,產品型號TGAN40N60F2DS
A:TRinno Technology
B:Product Family
M:Planar MOSFET/S:Super Junction MOSFET/MC:SiC MOSFET
G:IGBT/D:DIODE/DC:SiC DIODE/N:Trech MOSFET
C:Package Type
B/D/U:D2-PAK/D-PAK/I-PAK
P/PE:TO-220/TO-220F
A/AN/AF/H/L:TO-3PN/TO-3PF/TO-247/TO-264
D:Current Rating/On-resistance(RDS(on),max)
Superjunction MOSFET:maximum on-resistance(mΩ)
Others:Current Rating(A)
E:Channel Polarity / DIODE Speed
MOSFET/IGBT:N(N-type),P(P-type),S(Reverse conducting IGBT),R(On-resistance)
DIODE:A(Low Vξ),B(Standard),C(Low Qrr)
F:Voltage Rating
Absolute voltage rating divided by?‘10’
G:Generation/Technology
MOSFET:No suffix(1st gen.),A(2nd gen.)
IGBT:N(Non Punch Through),F(Fieldstop),P(Punch Through)
F2/F3/Fx(Fieldstop:2nd/3rd/...Generation)
H:Option
MOSFET:Z(G-S Zener Diode),S(Fast Recevery)
IGBT:C(SiC Diode),D(Anti-parallel Diode),L(Low Vce,sat),
R(Short Circuit Rated),S(Fast Switching),W(for Welder)
DIODE:DN(Common Cathode),DP(Common Anode)
PACKAGE:G(Halogen Free)
2.IGBT Module,產品型號TPM100GB120RS
A:TRinno Technology
B:Product Module
PM(Power Module),PIM(Power Integrated Module)
C:Current Rating
D:Topology
GB(IGBT Bridge type),R(Bridge + C/B + 3-phase)
E:Vlotage Rating(divided by?‘10’)
F:Package Type
R(34mm),K(62mm),M3(EconoPower3),W2(EasyPower2)
G:IGBT Technology
N(NPT),F(FS)
如果大家看文字不清晰,可以直接參考如下圖片:
二、IGBT技術應用領域介紹
IGBT作為功率半導體器件,在多個領域都具有廣泛的應用。以下是一些典型的應用領域:
電力電子應用:
IGBT在變頻空調、電動機驅動、電力逆變器等方面被廣泛應用,提高了能源利用效率和節(jié)能效果。
在電力輸配電領域,IGBT可以實現(xiàn)高效的變頻調節(jié),提升電網(wǎng)穩(wěn)定性和可靠性。
電動汽車和交通運輸:
IGBT作為電動汽車中的重要組成部分,用于電動驅動系統(tǒng)和電池充放電控制,幫助提升電動汽車的性能和續(xù)航里程。在城市軌道交通和高鐵等交通運輸領域,IGBT技術也發(fā)揮著關鍵作用,提升了列車的運行效率和節(jié)能環(huán)保。
IGBT在風力發(fā)電和太陽能發(fā)電系統(tǒng)中,用于電能轉換和逆變,幫助實現(xiàn)清潔能源的高效利用。在能源存儲系統(tǒng)中,IGBT用于電池充放電控制,實現(xiàn)對電能的有效管理。
工業(yè)自動化和機械控制:
IGBT技術在工業(yè)自動化和機械控制領域中,用于驅動高功率電機和執(zhí)行器,提高生產效率和自動化程度。
三、IGBT行業(yè)現(xiàn)狀介紹
IGBT技術作為功率半導體器件的代表之一,近年來得到了迅速發(fā)展。以下是IGBT行業(yè)的一些現(xiàn)狀和趨勢:
技術進步:
隨著材料科學、封裝技術和設計優(yōu)化的不斷發(fā)展,IGBT技術的性能和可靠性得到了持續(xù)提升。IGBT的開關速度不斷增加,功率密度逐漸提高,使得應用領域更廣泛。
應用拓展:
IGBT技術在電力電子、電動汽車、可再生能源等領域的應用不斷拓展,有望在更多領域取得突破。新興領域如新能源車輛、高速列車、5G通信等對高性能、高可靠性的IGBT需求逐漸增加。
國際市場競爭:
國際市場上,IGBT技術領域存在激烈的競爭。TRinno作為專業(yè)的IGBT供應商,致力于提供高質量的產品和技術支持,滿足不同客戶的需求。
結尾:
大家了解了IGBT技術的應用領域和行業(yè)現(xiàn)狀,也希望大家對TRinno作為專業(yè)汽車級IGBT研發(fā)、生產商的優(yōu)勢有更深的興趣。深圳市浮思特科技有限公司作為TRinno的一級代理商,致力于為客戶提供高性能、高可靠性的IGBT單管和IGBT模塊,以滿足各種應用場景的需求。如果您對我們的產品或方案感興趣,可隨時聯(lián)系我們索要產品資料和方案匹配服務。