全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)新開發(fā)出在智能手機和可穿戴設備等領域應用日益廣泛的硅電容器。利用ROHM多年來積累的硅半導體加工技術(shù)，新產(chǎn)品同時實現(xiàn)了更小的尺寸和更高的性能。

隨著智能手機等應用的功能增加和性能提升，業(yè)界對于支持更高安裝密度的小型元器件的需求日益高漲。硅電容器采用薄膜半導體技術(shù)，與多層陶瓷電容器(MLCC)相比，具有厚度更薄且電容量更大的特點。由于其穩(wěn)定的溫度特性和出色的可靠性，這種產(chǎn)品的應用越來越廣泛。ROHM預測硅電容器的市場規(guī)模將在2030年增長至3000億日元※，約達到2022年規(guī)模的1.5倍，因此采用自有的半導體工藝開發(fā)出小型且高性能的硅電容器。

ROHM的硅電容器采用能以1μm為單位進行加工的自有微細化技術(shù)RASMID?* 1，消除了外觀成型過程中的缺陷，并實現(xiàn)了±10μm以內(nèi)的高精度尺寸公差。由于產(chǎn)品尺寸波動很小，因此能夠支持更窄的安裝間距;另外通過將連接電路板的背面電極擴大至封裝的邊緣部位，還提高了安裝強度。

第一波產(chǎn)品“BTD1RVFL系列”的尺寸僅為0402(0.4mm×0.2mm)，是業(yè)界超小尺寸的表面貼裝型量產(chǎn)硅電容器。與0603尺寸的普通產(chǎn)品相比，其安裝面積減小約55%，僅為0.08mm2，非常有助于應用產(chǎn)品的小型化。另外，新產(chǎn)品還內(nèi)置TVS保護器件，可確保出色的ESD* 2耐受能力，減少浪涌對策等電路設計工時。

“BTD1RVFL 系 列 ” 包 括電容量為 1000pF 的 “BTD1RVFL102” 和電容量為 470pF 的 “BTD1RVFL471”，已從2023年8月開始以月產(chǎn)50萬個的規(guī)模投入量產(chǎn)。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.(日本滋賀工廠)，后道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)。

ROHM計劃于2024年面向高速和大容量通信設備等領域開發(fā)高頻特性優(yōu)異的第二波系列產(chǎn)品。另外， ROHM還將致力于開發(fā)適用于服務器等工業(yè)設備領域的產(chǎn)品，以進一步擴大應用范圍。

<產(chǎn)品陣容>

<應用示例>

?智能手機、可穿戴設備、小型物聯(lián)網(wǎng)設備、光纖收發(fā)器等

<術(shù)語解說>

*1) RASMID? ROHM Advanced Smart Micro Device的簡稱。利用與傳統(tǒng)方法完全不同的ROHM自有新工藝方法，實現(xiàn)了小型化和驚人的尺寸精度(±10μm以內(nèi))的超小型產(chǎn)品系列。

?RASMID?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

*2) ESD(Electro-Static Discharge：靜電放電)當人體與電子設備等帶電物體接觸時，會產(chǎn)生靜電(浪涌)。這種靜電(浪涌)會導致電路和設備發(fā)生誤動作或損壞。

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